TPS51200

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具有用于 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 VTTREF 缓冲基准的 3A 灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器

产品详情

DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3 Control mode D-CAP, S3, S4/S5 Iout VTT (max) (A) 3 Iq (typ) (mA) 0.5 Output VREF, VTT Vin (min) (V) 1.1 Vin (max) (V) 3.5 Features S3/S5 Support Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Regulator type Linear Regulator Vin bias (max) (V) 3.5 Vin bias (min) (V) 2.375 Vout VTT (min) (V) 0.6
DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3 Control mode D-CAP, S3, S4/S5 Iout VTT (max) (A) 3 Iq (typ) (mA) 0.5 Output VREF, VTT Vin (min) (V) 1.1 Vin (max) (V) 3.5 Features S3/S5 Support Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Regulator type Linear Regulator Vin bias (max) (V) 3.5 Vin bias (min) (V) 2.375 Vout VTT (min) (V) 0.6
VSON (DRC) 10 9 mm² 3 x 3
  • 输入电压:支持 2.5V 和 3.3V 电源轨
  • VLDOIN 电压范围:1.1V 至 3.5V
  • 具有压降补偿功能的灌电流和拉电流终端稳压器
  • 需要超小的输出电容 20µF(通常为 3 × 10µF MLCC),即可用于存储器终端 应用 (DDR)
  • 用于监视输出稳压的 PGOOD
  • EN 输入
  • REFIN 输入允许直接或通过电阻分压器灵活进行输入跟踪
  • 远程检测 (VOSNS)
  • ±10mA 缓冲基准 (REFOUT)
  • 内置软启动,欠压锁定 (UVLO) 和过流限制 (OCL)
  • 热关断
  • 支持 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 应用
  • 带有散热焊盘的 10 引脚超薄小外形尺寸无引线 (VSON) 封装
  • 输入电压:支持 2.5V 和 3.3V 电源轨
  • VLDOIN 电压范围:1.1V 至 3.5V
  • 具有压降补偿功能的灌电流和拉电流终端稳压器
  • 需要超小的输出电容 20µF(通常为 3 × 10µF MLCC),即可用于存储器终端 应用 (DDR)
  • 用于监视输出稳压的 PGOOD
  • EN 输入
  • REFIN 输入允许直接或通过电阻分压器灵活进行输入跟踪
  • 远程检测 (VOSNS)
  • ±10mA 缓冲基准 (REFOUT)
  • 内置软启动,欠压锁定 (UVLO) 和过流限制 (OCL)
  • 热关断
  • 支持 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 应用
  • 带有散热焊盘的 10 引脚超薄小外形尺寸无引线 (VSON) 封装

TPS51200 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器,专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。

TPS51200 可保持快速的瞬态响应,仅需 20µF 超低输出电容。TPS51200 支持遥感功能,并满足 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。

此外,TPS51200 还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压,并提供一个 EN 信号在 S3(挂起至 RAM)期间针对 DDR 应用对 VTT 进行放电。

TPS51200 采用带散热焊盘的高效散热型 10 引脚 VSON 封装,具有绿色环保和无铅的特性。其额定温度范围为 -40°C 至 +85°C。

TPS51200 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器,专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。

TPS51200 可保持快速的瞬态响应,仅需 20µF 超低输出电容。TPS51200 支持遥感功能,并满足 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。

此外,TPS51200 还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压,并提供一个 EN 信号在 S3(挂起至 RAM)期间针对 DDR 应用对 VTT 进行放电。

TPS51200 采用带散热焊盘的高效散热型 10 引脚 VSON 封装,具有绿色环保和无铅的特性。其额定温度范围为 -40°C 至 +85°C。

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设计和开发

如需其他信息或资源,请查看下方列表,点击标题即可进入详情页面。

评估板

TPS51200EVM — TPS51200 吸入/输出 DDR 终止稳压器

TPS51200EVM 评估板(即 HPA322A)用于评估成本优化的 TI DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 VTT 终止稳压器(即 TPS51200)的性能和特性。TPS51200 用于提供合适的终止电压并为具有最少外部组件的 DDR 存储器(包括 DDR (2.5 V/1.25 V)、DDR2 (1.8 V/0.9 V)、DDR3 (1.5 V/0.75 V)、LP DDR3 (1.2 V/0.6 V) 等规格)提供 10mA 缓冲参考电压。

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

TPS51200 PSpice Average Model

SLVM069.ZIP (30 KB) - PSpice Model
仿真模型

TPS51200 PSpice Transient Model (Rev. A)

SLVM068A.ZIP (38 KB) - PSpice Model
仿真模型

TPS51200 TINA-TI Average Reference Design

SLUM150.TSC (755 KB) - TINA-TI Reference Design
仿真模型

TPS51200 TINA-TI Average Spice Model

SLUM151.ZIP (17 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

TPS51200 TINA-TI Start-Up Transient Reference Design

SLUM148.TSC (127 KB) - TINA-TI Reference Design
仿真模型

TPS51200 TINA-TI Transient Spice Model

SLUM149.ZIP (18 KB) - TINA-TI Spice Model
CAD/CAE 符号

TPS51200 Orcad Model

SLVC210.ZIP (1 KB)

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订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频