ZHCSL06E February   2008  – September 2025 TPS51200

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  灌电流和拉电流稳压器（VO 引脚）
      2. 6.3.2  基准输入（REFIN 引脚）
      3. 6.3.3  基准输出（REFOUT 引脚）
      4. 6.3.4  软启动序列
      5. 6.3.5  使能控制（EN 引脚）
      6. 6.3.6  电源正常功能（PGOOD 引脚）
      7. 6.3.7  电流保护（VO 引脚）
      8. 6.3.8  UVLO 保护（VIN 引脚）
      9. 6.3.9  热关断
      10. 6.3.10 跟踪启动和关闭
      11. 6.3.11 VTT DIMM 应用的输出容差注意事项
      12. 6.3.12 DDR2 应用的 REFOUT (VREF) 考虑因素
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 低输入电压应用
      2. 6.4.2 S3 和伪 S5 支持
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 输入电压电容器
        2. 7.2.2.2 VLDO 输入电容器
        3. 7.2.2.3 输出电容器
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 系统示例
      1. 7.3.1 3.3VIN、DDR2 配置
      2. 7.3.2 2.5VIN、DDR3 配置
      3. 7.3.3 3.3VIN、LP DDR3 或 DDR4 配置
      4. 7.3.4 3.3VIN、DDR3 跟踪配置
      5. 7.3.5 3.3VIN、LDO 配置
      6. 7.3.6 采用 LFP 的 3.3VIN DDR3 配置
    4. 7.4 电源相关建议
    5. 7.5 布局
      1. 7.5.1 布局指南
      2. 7.5.2 布局示例
      3. 7.5.3 散热设计注意事项
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 评估模块
        2. 8.1.1.2 Spice 模型
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.5 电气特性

在建议的自然通风条件下的温度范围内，VVIN = 3.3V、VVLDOIN = 1.8V、VREFIN = 0.9V、VVOSNS = 0.9V、VEN = VVIN、COUT = 3 × 10μF，电路如图 7-1 所示。（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源电流
IIN 电源电流 TA = 25°C，VEN = 3.3V，无负载 0.7 1 mA
IIN(SDN) 关断电流 TA = 25°C，VEN = 0V，VREFIN = 0，
无负载		 65 80 μA
TA = 25°C，VEN = 0V，VREFIN > 0.4V，无负载 200 400
ILDOIN VLDOIN 的电源电流 TA = 25°C，VEN = 3.3V，无负载 1 50 μA
ILDOIN(SDN) VLDOIN 的关断电流 TA = 25°C，VEN = 0V，无负载 0.1 50 μA
输入电流
IREFIN 输入电流，REFIN VEN = 3.3V 1 μA
VO 输出
VVOSNS 输出直流电压，VO VREFOUT = 1.25V (DDR1)，IO = 0A 1.25 V
-15 15 mV
VREFOUT = 0.9V (DDR2)，IO = 0A 0.9 V
-15 15 mV
VREFOUT = 0.75V (DDR3)，IO = 0A 0.75 V
-15 15 mV
VREFOUT = 0.675V (DDR3L)，IO = 0A 0.675 V
-15 15 mV
VREFOUT = 0.6V (DDR4)，IO = 0A 0.6 V
-15 15 mV
VVOTOL 输出电压相对于 REFOUT 的容差 –2A < IVO < 2A -25 25 mV
IVOSRCL VO 拉电流限值 以 REFOUT 为基准，
VOSNS = 90% × VREFOUT		 3 4.5 A
IVOSNCL VO 灌电流限值 以 REFOUT 为基准，
VOSNS = 110% × VREFOUT		 3.5 5.5 A
IDSCHRG 放电电流，VO VREFIN = 0V，VVO = 0.3V，VEN = 0V，TA = 25°C 18 25 Ω
电源正常比较器
VTH(PG) VO PGOOD 阈值 PGOOD 窗口相对于 REFOUT 的阈值下限 -23.5% -20% -17.5%
PGOOD 窗口相对于 REFOUT 的阈值上限 17.5% 20% 23.5%
PGOOD 迟滞 5%
tPGSTUPDLY PGOOD 启动延迟 启动上升沿，VOSNS 处于 REFOUT 的 15% 以内 2 ms
VPGOODLOW 输出低电压 ISINK = 4mA 0.4 V
tPBADDLY PGOOD 不良延迟 VOSNS 超出 ±20% PGOOD 窗口 10 μs
IPGOODLK 漏电流(1) VOSNS = VREFIN（PGOOD 高阻抗），VPGOOD = VVIN + 0.2V 1 μA
REFIN 和 REFOUT
VREFIN REFIN 电压范围 0.5 1.8 V
VREFINUVLO REFIN 欠压锁定 REFIN 上升 360 390 420 mV
VREFINUVHYS REFIN 欠压锁定迟滞 20 mV
VREFOUT REFOUT 电压 REFIN V
VREFOUTTOL 相对于 VREFIN 的 REFOUT 电压公差 –1mA < IREFOUT < 1mA，
VREFIN = 1.25V		 -12 12 mV
–1mA < IREFOUT < 1mA，
VREFIN = 0.9V		 -12 12
–1mA < IREFOUT < 1mA，
VREFIN = 0.75V		 -12 12
–1mA < IREFOUT < 1mA，
VREFIN = 0.675V		 -12 12
–1mA < IREFOUT < 1mA，
VREFIN = 0.6V		 -12 12
IREFOUTSRCL REFOUT 拉电流限值 VREFOUT = 0V 10 40 mA
IREFOUTSNCL REFOUT 灌电流限值 VREFOUT = 0V 10 40 mA
UVLO 和 EN 逻辑阈值
VVINUVVIN UVLO 阈值 唤醒，TA = 25°C 2.2 2.3 2.375 V
迟滞 50 mV
VENIH 高电平输入电压 启用 1.7 V
VENIL 低电平输入电压 启用 0.3
VENYST 迟滞电压 启用 0.5
IENLEAK 逻辑输入漏电流 EN，TA = 25°C -1 1 μA
热关断
TSON 热关断阈值(1) 关断温度 150 °C
迟滞 25
(1) 由设计确保。未经生产测试。