ZHCSUI2E May   2006  – January 2024 TPS28225

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 Pin Configuration and Functions
  6. 5 Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 Recommended Operating Conditions
    4. 5.4 Thermal Information
    5. 5.5 Electrical Characteristics
    6. 5.6 Switching Characteristics
    7. 5.7 Typical Characteristics
  7. 6 Detailed Description
    1. 6.1 Overview
    2. 6.2 Functional Block Diagram
    3. 6.3 Feature Description
      1. 6.3.1 Undervoltage Lockout (UVLO)
      2. 6.3.2 Output Active Low
      3. 6.3.3 Enable/Power Good
      4. 6.3.4 3-State Input
        1. 6.3.4.1 TPS28225 3-State Exit Mode
        2. 6.3.4.2 External Resistor Interference
      5. 6.3.5 Bootstrap Diode
      6. 6.3.6 Upper and Lower Gate Drivers
      7. 6.3.7 Dead-Time Control
      8. 6.3.8 Thermal Shutdown
    4. 6.4 Device Functional Modes
  8. 7 Application and Implementation
    1. 7.1 Application Information
    2. 7.2 Typical Application
      1. 7.2.1 Design Requirements
      2. 7.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 7.2.2.1 Four Phases Driven by TPS28225 Driver
        2. 7.2.2.2 Switching The MOSFETs
        3. 7.2.2.3 List of Materials
      3. 7.2.3 Application Curves
    3. 7.3 System Examples
  9. 8 Power Supply Recommendations
  10. 9 Layout
    1. 9.1 Layout Guidelines
    2. 9.2 Layout Example
  11. 10Device and Documentation Support
    1. 10.1 Device Support
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 Documentation Support
      1. 10.2.1 Related Documentation
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 Trademarks
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11Revision History
  13. 12Mechanical, Packaging, and Orderable Information

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

TPS28225 是一款高速驱动器，用于驱动具有自适应死区时间控制的 N 沟道互补驱动功率 MOSFET。此驱动器经过优化，适用于多种高电流单相和多相直流/直流转换器。TPS28225 解决方案具有高效率和小尺寸，并提供低 EMI 发射。

其高效率通过高达 8.8V 的栅极驱动电压、14ns 自适应死区时间控制、14ns 广播延迟以及高电流（2A 拉电流和 4A 灌电流）驱动能力实现。较低栅极驱动器的 0.4Ω 阻抗保持功率 MOSFET 的栅极低于其阈值，并确保在高 dV/dt 相位结点转换中不会产生击穿电流。由内部二极管充电的自举电容器支持在半桥配置中使用 N 沟道 MOSFET。

器件信息
器件型号封装(1)封装尺寸（标称值）
TPS28225D（SOIC，8）4.90mm × 3.91mm
DRB（VSON，8）3.00mm x 3.00mm
(1) 有关所有可选封装，请参阅 节 12。
GUID-75CEDFEE-8D2A-4D65-A0A2-1741EF42F324-low.gif简化版原理图