ZHCSUI2E May   2006  – January 2024 TPS28225

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 Pin Configuration and Functions
  6. 5 Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 Recommended Operating Conditions
    4. 5.4 Thermal Information
    5. 5.5 Electrical Characteristics
    6. 5.6 Switching Characteristics
    7. 5.7 Typical Characteristics
  7. 6 Detailed Description
    1. 6.1 Overview
    2. 6.2 Functional Block Diagram
    3. 6.3 Feature Description
      1. 6.3.1 Undervoltage Lockout (UVLO)
      2. 6.3.2 Output Active Low
      3. 6.3.3 Enable/Power Good
      4. 6.3.4 3-State Input
        1. 6.3.4.1 TPS28225 3-State Exit Mode
        2. 6.3.4.2 External Resistor Interference
      5. 6.3.5 Bootstrap Diode
      6. 6.3.6 Upper and Lower Gate Drivers
      7. 6.3.7 Dead-Time Control
      8. 6.3.8 Thermal Shutdown
    4. 6.4 Device Functional Modes
  8. 7 Application and Implementation
    1. 7.1 Application Information
    2. 7.2 Typical Application
      1. 7.2.1 Design Requirements
      2. 7.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 7.2.2.1 Four Phases Driven by TPS28225 Driver
        2. 7.2.2.2 Switching The MOSFETs
        3. 7.2.2.3 List of Materials
      3. 7.2.3 Application Curves
    3. 7.3 System Examples
  9. 8 Power Supply Recommendations
  10. 9 Layout
    1. 9.1 Layout Guidelines
    2. 9.2 Layout Example
  11. 10Device and Documentation Support
    1. 10.1 Device Support
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 Documentation Support
      1. 10.2.1 Related Documentation
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 Trademarks
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11Revision History
  13. 12Mechanical, Packaging, and Orderable Information

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 驱动两个具有 14ns 自适应死区时间的 N 沟道 MOSFET
  • 宽栅极驱动电压：4.5V 至最高 8.8V，7V 至 8V 时效率最佳
  • 动力总成系统宽输入电压：3V 至最高 27V
  • 宽输入 PWM 信号：2.0V 至最高 13.2V 幅值
  • 能够以每相 ≥40A 的电流驱动 MOSFET
  • 高频运行：14ns 传播延迟和 10ns 上升/下降时间支持 2MHz 的 FSW
  • 能够传播 <30ns 的输入 PWM 脉冲
  • 低侧驱动器（灌入）导通电阻 (0.4Ω) 可防止与 dV/dT 相关的击穿电流
  • 三态 PWM 输入可实现电源级关断
  • 通过同一引脚支持使能（输入）和电源正常（输出）信号来节省空间
  • 热关断
  • UVLO 保护
  • 内部自举二极管
  • 经济型 SOIC-8 和热增强型 3mm × 3mm VSON-8 封装
  • 常见三态输入驱动器的高性能替代产品