ZHCSQN2A December   2023  – December 2024 TPS1200-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 电荷泵和栅极驱动器输出（VS、PU、PD、BST、SRC）
      2. 7.3.2 使用 FET 栅极（PU、PD）压摆率控制的容性负载驱动
      3. 7.3.3 短路保护
        1. 7.3.3.1 带自动重试的短路保护
        2. 7.3.3.2 带闭锁的短路保护
      4. 7.3.4 过压 (OV) 和欠压保护 (UVLO)
      5. 7.3.5 反极性保护
      6. 7.3.6 短路保护诊断 (SCP_TEST)
      7. 7.3.7 TPS12000-Q1 用作简单的栅极驱动器
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用：全时驱动功率 (PAAT) 负载
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.4.1 布局指南

  • 将检测电阻 (RSNS) 靠近 TPS12000-Q1 放置，然后使用开尔文技术连接 RSNS。更多有关开尔文技术的信息，请参阅选择合适的检测电阻布局。

    对于基于 VDS 的电流检测，请在 MOSFET 上使用相同的开尔文技术。

  • 对于所有应用，在 VS 端子和 GND 之间选择一个 0.1µF 或值更高的陶瓷去耦电容器。为改善去耦以应对电源线路干扰，可考虑在控制器的电源引脚 (VS) 处添加 RC 网络。
  • 为最大限度减小环路电感，使电路板输入到负载的大电流路径以及返回路径相互平行且彼此靠近。
  • 将外部 MOSFET 靠近控制器栅极驱动引脚 (PU/PD) 放置，从而使 MOSFET 的栅极靠近控制器栅极驱动引脚并形成一个较短的栅极环路。考虑添加一个占位电阻与每个外部 MOSFET 的栅极串联，以便在需要时抑制高频振荡。
  • 在输入端放置一个 TVS 二极管以用于在热插拔和快速关断事件期间钳制电压瞬态。
  • 将外部自举电容器靠近 BST 和 SRC 引脚放置以形成极短的环路。
  • 将 TPS12000-Q1 周围各种元件的接地连接直接相互连接，并连接到 TPS12000-Q1 GND，然后连接到系统地的一个点上。请勿通过大电流接地线将各种元件接地相互连接。