ZHCSQN2A December   2023  – December 2024 TPS1200-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 电荷泵和栅极驱动器输出（VS、PU、PD、BST、SRC）
      2. 7.3.2 使用 FET 栅极（PU、PD）压摆率控制的容性负载驱动
      3. 7.3.3 短路保护
        1. 7.3.3.1 带自动重试的短路保护
        2. 7.3.3.2 带闭锁的短路保护
      4. 7.3.4 过压 (OV) 和欠压保护 (UVLO)
      5. 7.3.5 反极性保护
      6. 7.3.6 短路保护诊断 (SCP_TEST)
      7. 7.3.7 TPS12000-Q1 用作简单的栅极驱动器
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用：全时驱动功率 (PAAT) 负载
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.3.3 短路保护

TPS12000-Q1 具有可调节的短路保护功能。阈值和响应时间可分别用 RISCP 电阻器和 CTMR 电容器来调整。该器件会检测 CS+ 和 CS– 引脚上的电压。

这些引脚可以连接在外部高侧和低侧电流感应电阻器 (RSNS)上，也可以连接在 FET 漏极和源极端子上，以进行 FET RDSON 感应，分别如图 7-6、图 7-7、图 7-5 和 图 7-8 所示。

TPS1200-Q1 TPS12000-Q1 应用电路，其高侧电流检测功能基于外部检测电阻 RSNS图 7-5 TPS12000-Q1 应用电路，其高侧电流检测功能基于外部检测电阻 RSNS
TPS1200-Q1 TPS12000-Q1 应用电路，其电流检测功能基于 MOSFET RDSON图 7-6 TPS12000-Q1 应用电路，其电流检测功能基于 MOSFET RDSON
TPS1200-Q1 TPS12000-Q1 应用电路，其电池侧低侧电流检测功能基于外部检测电阻 RSNS图 7-7 TPS12000-Q1 应用电路，其电池侧低侧电流检测功能基于外部检测电阻 RSNS
TPS1200-Q1 TPS12000-Q1 应用电路，其负载侧低侧电流检测功能基于外部检测电阻 RSNS图 7-8 TPS12000-Q1 应用电路，其负载侧低侧电流检测功能基于外部检测电阻 RSNS

使用 ISCP 和 GND 引脚上的外部 RISCP 电阻器设置短路检测阈值。使用 方程式 5 可计算所需的 RISCP 值：

方程式 5. R I S C P   ( Ω ) =   I S C × R S N S   -   19   m V 2   μ A

其中，

RSNS 是高侧或低侧电流检测电阻值或 FET RDSON 值。

ISC 是所需的短路电流电平。

无需在 TMR 和 GND 引脚上连接 CTMR 电容器，短路保护响应最快。

器件通电且 EN/UVLO、INP 被拉至高电平时，在 Q1 开通期间，通过监控 PD 到 SRC 的电压可检测外部 FET 的第一个 VGS。一旦 PD 到 SRC 的电压升至高于 V(G_GOOD) 阈值（7.5V，典型值）（这样可确保外部 FET 增强），便会监控 SCP 比较器输出。如果在 CS+ 和 CS- 上检测到的电压超过短路设定点 (VSCP)，则 PD 会拉低至 SRC，而 FLT 将置于低电平。后续事件可以设置为自动重试或闭锁，如后续部分所述。

仅当 CS_SEL 被拉至低电平时，才会监测外部 FET (Q1) 的 VGS。在低侧电流检测中，不监测外部 FET (Q1) 的 VGS，如 图 7-7 和 图 7-8 所示。

注：

此外，可以通过缓冲器而不是 RISCP 电阻器在 ISCP 引脚上连接外部偏置电压来设置短路阈值，从而实现具有更高 SCP 阈值精度的系统设计，如电气特性表中所述。要在 ISCP 引脚上强制施加的外部偏置电压可以通过以下公式计算得出：

V(SCP_BIAS)（单位：mV） = ISC x RSNS x 5 - 95mV