ZHCSIN7F August   2018  – July 2025 TMUX6111 , TMUX6112 , TMUX6113

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 热性能信息
    4. 6.4 建议运行条件
    5. 6.5 电气特性（双电源：±15V）
    6. 6.6 开关特性（双电源：±15V）
    7. 6.7 电气特性（单电源：12V）
    8. 6.8 开关特性（单电源：12V）
    9. 6.9 典型特性
  8. 7 参数测量信息
    1. 7.1 真值表
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
      1. 8.1.1  导通电阻
      2. 8.1.2  关断漏电流
      3. 8.1.3  导通漏电流
      4. 8.1.4  先断后合延迟
      5. 8.1.5  导通和关断时间
      6. 8.1.6  电荷注入
      7. 8.1.7  关断隔离
      8. 8.1.8  通道间串扰
      9. 8.1.9  带宽
      10. 8.1.10 THD + 噪声
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 超低漏电流
      2. 8.3.2 超低电荷注入
      3. 8.3.3 双向和轨到轨运行
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.3.2 超低电荷注入

TMUX6111, TMUX6112, and TMUX6113 采用简单的传输门拓扑结构实现，如图 8-7 所示。与 NMOS 和 PMOS 相关的杂散电容中的任何不匹配都会在开关断开或闭合时导致输出电平发生变化。这些器件利用特殊的电荷注入消除电路，可将源极 (Sx) 至漏极 (Dx) 的电荷注入降低至最低 0.6pC（在 VS = 0V 条件下），如图 8-13 所示。

TMUX6111 TMUX6112 TMUX6113 传输门拓扑图 8-12 传输门拓扑
TMUX6111 TMUX6112 TMUX6113 源极至漏极电荷注入与源极或漏极电压间的关系图 8-13 源极至漏极电荷注入与源极或漏极电压间的关系