ZHCSWH3E February 1997 – July 2025 TLE2021AM , TLE2021B , TLE2021M-MIL , TLE2022AM-MIL , TLE2022BM , TLE2022M-MIL , TLE2024AM , TLE2024BM-MIL , TLE2024M
PRODUCTION DATA
| TA | 封装器件 | ||
|---|---|---|---|
| 在 25°C 时的 VIO 最大值 |
芯片 载体 (FK) |
陶瓷 DIP (JG) |
|
| -55°C 至 +125°C | 100V µV 500µV |
TLE2021BMFK TLE2021MFK |
TLE2021BMJG TLE2021MJG |
| TA | 封装器件 | ||
|---|---|---|---|
| 在 25°C 时的 VIO 最大值 |
芯片 载体 (FK) |
陶瓷 DIP (JG) |
|
| -55°C 至 +125°C | 150µV 300µV 500µV |
— TLE2022AMFK TLE2022MFK |
TLE2022BMJG TLE2022AMJG TLE2022MJG |
| TA | 封装器件 | ||
|---|---|---|---|
| 在 25°C 时的 VIO 最大值 |
芯片 载体 (FK) |
陶瓷 DIP (J) |
|
| -55°C 至 +125°C | 500µV 750µV 1000µV |
TLE2024BMFK TLE2024AMFK TLE2024MFK |
TLE2024BMJ TLE2024AMJ TLE2024MJ |