9 修订历史记录
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLG (January 2015)to RevisionH (June 2026)
- 更新了特性部分，以包含旧芯片和新芯片之间的性能比较（输入、输出范围、输出电压精度和封装热性能详细信息）Go
- 更新了“绝对最大额定值”、“ESD”、“建议运行条件”、“热性能”和“电气特性”表，以呈现旧芯片和新芯片之间的性能比较Go
- 更新了“概述”部分，以突出旧芯片和新芯片的主要特性Go
- 更新了过载恢复、输出电压噪声和保护特性部分，以便对旧芯片和新芯片进行比较并提升客户可读性，并添加了有关
SHDN
、欠压锁定 (UVLO)、热关断和电流限制部分的详细信息。Go
- 更新了“保护特性”，创建了“仅限旧芯片”和“旧芯片和新芯片”部分Go
- 更新了器件功能模式部分，以提升数据表的可读性。Go
- 更新了“应用信息”部分以提升数据表的可读性，添加了反向电流、前馈电容器、估算结温和功率耗散 (PD) 部分。Go
- 更新了“典型应用”部分，以提升可读性并方便旧芯片与新芯片之间的比较。Go
- 在应用曲线部分中添加了旧芯片和新芯片的负载和线路瞬态图。Go
- 将“电源相关建议”移到了“应用和实施”部分中Go
- 将“布局”移动到“应用和实施”部分Go
- 添加了“器件支持”部分并更新了 TL1963A-xx 器件的 EVM 详细信息。Go
- 向“器件命名规则”部分添加了旧芯片和新芯片的详细信息Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLF (January 2014)to RevisionG (January 2015)
- 添加了 ESD 等级 表、特性说明 部分、器件功能模式、应用和实现 部分、电源相关建议 部分、布局 部分、器件和文档支持 部分以及机械、封装和可订购信息 部分Go