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ZHCSTE6A October 2023 – December 2023 RES11A-Q1

ADVMIX

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)

DDF|8

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

zhcste6a_oa

7.3.1 比例匹配

RES11A-Q1 的电阻通过以下公式来描述：

方程式 28.

R_{IN1} = R_{INnom} \times (1+ t_{abs}) = R_{INnom} \times (1+ t_{RIN1}) \times (1+ t_{SiCr})

方程式 2.

R_{IN2} = R_{INnom} \times (1+ t_{RIN2}) \times (1+ t_{SiCr})

方程式 3.

R_{G1} = R_{Gnom} \times (1+ t_{RG1}) \times (1+ t_{SiCr})

方程式 4.

R_{G2} = R_{Gnom} \times (1+ t_{RG2}) \times (1+ t_{SiCr})

R_Innom 和 R_Gnom 是每个电阻的标称值。参数 t_abs 是误差项，用于描述相关 RES11A-Q1 器件的绝对容差，使得 |t_abs| ≤ 12%。绝对容差主要取决于 SiCr 电阻率 (t_SiCr) 的变化。给定 RES11A-Q1 的四个电阻呈叉指状，并且来自相同的晶圆区域；因此，t_SiCr 对于四个电阻中的每一个来说实际上相同，但 t_SiCr 因器件而异。以下示例显示，当从比例角度考虑每个分压器时，这些误差项会消失。参数 t_Rx 是误差项，用于描述给定 RES11A-Q1 器件每个电阻的剩余有效容差（在考虑通用 t_SiCr 之后）。

方程式 5.

\frac{R_{Gx}}{R_{INx}} = \frac{R_{Gnom} \times (1+ t_{RGx}) \times (1+ t_{SiCr})}{R_{INnom} \times (1+ t_{RINx}) \times (1+ t_{SiCr})} = \frac{R_{Gnom} \times (1+ t_{RGx})}{R_{INnom} \times (1+ t_{RINx})} = G_{nom} \times \frac{(1+ t_{RGx})}{(1+ t_{RINx})} = G_{x}

方程式 6.

\frac{R_{INx}}{R_{INx} + R_{Gx}} = \frac{R_{INnom} \times (1+ t_{RINx}) \times (1+ t_{SiCr})}{R_{INnom} \times (1+ t_{RINx}) \times (1+ t_{SiCr}) + R_{Gnom} \times (1+ t_{RGx}) \times (1+ t_{SiCr})} = \frac{R_{INnom} \times (1+ t_{RINx})}{R_{INnom} \times (1+ t_{RINx}) + R_{Gnom} \times (1+ t_{RGx})}

RES11A-Q1 的规定最大分压器分压比容差为 0.05%，这意味着实际分压器比率 G_x 和标称比率 G_nom（给定分压器 x）之间的关系描述如下：

方程式 7.

G_{x} = G_{nom} \times (1+ t_{Dx})

使得 t_Dx ≤ 0.05%。由于在最终测试阶段时会筛除所有不符合这些标准的器件，因此这些公式可以与方程式 5 一起用来证明 t_Rx 的有效界限。因此，尽管器件的绝对端到端容差界限为 ±12%，但每个电阻的有效误差容差（对于比率应用）大约在 ±0.025% 范围内（最坏情况 t_Rx）。

RES11A-Q1 的规定最大分压器匹配容差为 0.1%，这意味着分压器 1 的比率 (G₁) 和分压器 2 的比率 (G₂) 描述如下：

方程式 8.

t_{M} = t_{D2} - t_{D1} = \frac{G_{2} - G_{1}}{G_{nom}}

根据定义，|t_M| ≤ 0.1%。同样，前面的公式将 t_M 与参数 t_DX 和 t_RX 相关联。由于两个分压器呈叉指状，因此 t_M 的实际典型幅度明显低于此最大值，具体取决于特定的 RES11A-Q1 器件。在实现差分放大器电路时，此值用于计算共模抑制比 (CMRR)。例如，典型的 t_M（RES11A40-Q1 的典型值）大约为 85ppm，而典型 CMRR 为 95.4dB。