ZHCSTE6A October 2023 – December 2023 RES11A-Q1
ADVMIX
7.3.3 可预测电压系数
RES11A-Q1 的电压系数几乎完全与自发热有关，此时器件中的耗散功率会导致芯片温度升高。如前所述，这种温升的共性会导致每个电阻中发生相似的转换，使得分压器比率得以很好地保持。
通过在电阻器或分压器 R 两端施加电压 V，会造成相应的功率耗散 P = V2/R，表现为器件芯片中的热量。这些热量会导致结温局部增加，进而造成前面在温度系数背景下讨论过的相同参数转换。TCR 指定为环境温度的函数；因此，应使用有效的结至环境热阻来确定有效温升，并计算标称或预期转换。
方程式 9.
图 7-1 RIN 电阻与电压间的关系
图 7-2 RG 电阻与电压间的关系R 预期值与 R 实际值之间的差异描述了 R 的实际值与预期值不匹配错误，这源自对电压系数产生的非温度相关影响。与对数放大器的对数一致性误差或 ADC 的积分非线性误差类似，该误差描述了实际器件行为与可预测行为之间的偏差。虽然转换的绝对幅度有所不同，但斜率或趋势可以预测。
图 7-3 电阻实际值和预期值失配与电压间的关系低偏置下 R 的测量值（通过提供非常小的电流来测量）与 R 实际值用来计算电阻的有效电压系数。
方程式 10.
对每个 Rx、tD1、tD2 和 tM 重复此操作，计算与每个参数相关的电压系数。例如，RES11A40-Q1 的典型绝对电压系数约为 0.02Ω/V（RIN 或 RG 的电压系数）。当从比例角度考虑时，tD1 或 tD2 的典型电压系数为 2ppm/V，tM 的电压系数为 0.5ppm/V。