ZHCSI18B April 2018 – May 2025 OPA858
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
OPA858采用低电压和高速 BiCMOS 工艺制造。对于这些小几何尺寸器件,内部结击穿电压较低,因此所有器件引脚都由连接到电源的内部 ESD 保护二极管提供保护,如图 8-3所示。放大器输入端之间有两个反并联二极管,可在超出范围或故障情况下钳制输入。