ZHCSUJ6 February 2025 LMG3650R025
ADVANCE INFORMATION
LMG365xR025 的压摆率可以通过连接驱动强度调节电路在大约 10V/ns 和 100V/ns 之间调节。有关详细信息,请参阅驱动强度调整。
压摆率从以下方面影响 GaN 器件的性能:
通常,高压摆率可实现低开关损耗,但高压摆率也会产生较高的电压过冲、噪声耦合和 EMI 发射。遵循此数据表中的设计建议有助于缓解由高压摆率引发的挑战。LMG365xR025 让电路设计人员能够灵活地选择合适的压摆率,从而使其应用实现卓越的性能。