ZHCSUJ6 February   2025 LMG3650R025

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
  8. 7 参数测量信息
    1. 7.1 开关参数
      1. 7.1.1 导通时间
      2. 7.1.2 关断时间
      3. 7.1.3 漏源导通和关断压摆率
      4. 7.1.4 零电压检测时间（仅限 LMG3656R025）
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
      1. 8.2.1 LMG3650R025 功能方框图
      2. 8.2.2 LMG3651R025 功能方框图
      3. 8.2.3 LMG3656R025 功能方框图
      4. 8.2.4 LMG3657R025 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 驱动强度调整
      2. 8.3.2 VDD 电源
      3. 8.3.3 过流和短路保护
      4. 8.3.4 过热保护
      5. 8.3.5 UVLO 保护
      6. 8.3.6 故障报告
      7. 8.3.7 辅助 LDO（仅限 LMG3651R025）
      8. 8.3.8 零电压检测 (ZVD)（仅限 LMG3656R025）
      9. 8.3.9 零电流检测 (ZCD)（仅限 LMG3657R025）
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 压摆率选择
        2. 9.2.2.2 信号电平转换
    3. 9.3 电源相关建议
      1. 9.3.1 使用隔离式电源
      2. 9.3.2 使用自举二极管
        1. 9.3.2.1 二极管选型
        2. 9.3.2.2 管理自举电压
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • KLA|9
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.6 开关特性

除非另有说明：电压、电阻、电容和电感以 GND/SRC 为准；–40℃ ≤ TJ ≤ 150℃；VDD = 12V；FLT/RDRV 电阻 RDRVon 和 RDRVoff 为开路
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
开关时间
td(on) 导通延迟时间 从 VIN > VIN,IT+ 到 VDS < 320V，VBUS = 400V，LHB 电流 = 0A，100V/ns 30 46 ns
导通电流上升时间 + 延迟时间 从 VIN > VIN,IT+ 到 VDS < 320V，VBUS = 400V，LHB 电流 = 10A，100V/ns 35 60 ns
tvf(on) 导通电压下降时间 从 VDS < 320V 到 VDS < 80V，VBUS = 400V，LHB 电流 = 10A，100V/ns 1 2.3 6 ns
导通压摆率 dv/dt，当 VDS = 200V、VBUS = 400V、LHB 电流 = 10A 时，100V/ns 76 115 150 V/ns
脉宽失真度 100V/ns 下的压摆率设置 20 ns
改变输出 L-H-L 压摆率设置 @ 100V/ns 以使 SW 超过 200V 的最小输入脉冲 50 ns
td(off) 全速下的关断延迟时间 从 VIN < 2.5V 到 VDS >= 10V。VBUS = 400V，IL = 34A，最快或完全关断速度。 12 17 35 ns
tvr(off) 全速下的关断电压上升时间 从 VDS >= 20V 到 VDS >= 380V。VBUS = 400V，IL = 34A，最快或完全关断速度。 3 4.5 10 ns
启动时间
TDRV_START 驱动器启动延迟 从驱动器电源超过 UVLO 到 IN 为高电平时开关导通。  35 65 µs
故障时间
toff(OC) 过流故障 FET 关断时间，过流前 FET 导通 从 ID >= IT(OC)  到 Vds> 10V，di/dt = 100A/µs，采用最快关断速度 370 480 ns
toff(OC_ON) 过流总导通时间，导通进过流。 从 Vds <= 10V 到 Vds >= 10V，在 110% OC 电平下导通，采用 100 V/ns 导通压摆率和最快关断速度。  420 580 ns
toff_cur(SC_ON) 通过漏极电流测得的 SC 导通时间 从 LS Ids > 50A 到 Ids < 50A，半桥配置中的导通压摆率为 100 V/ns。 100 500 ns
toff_cur(SC) 包含源电流测量的 SC 响应时间 从 LS Vds>9V 到 LS Ids<50A，半桥配置中的导通压摆率为 100 V/ns。。 350 ns
锁存故障复位时间 将两个栅极驱动器输入保持为低电平以清除锁存故障所需的时间 300 380 450 µs
零电压检测与零电流检测时间
ZCD 延迟 电流过零（从低到高）到 ZCD 输出脉冲 di/dt = 0.03A/ns 12 25 50 ns
ZVD 延迟 IN 上升至 ZVD 输出脉冲。100V/ns 导通速度。 13 20 50 ns
tWD_ZVD ZVD 脉冲宽度 Vbus = 10V，IL = 5A，测量 ZVD 脉冲宽度 90 120 170 ns
ZVD 感测时间 FET 导通感测时间 (100V/ns)。IL=2A 11 25 ns