ZHCSUJ6 February   2025 LMG3650R025

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
  8. 7 参数测量信息
    1. 7.1 开关参数
      1. 7.1.1 导通时间
      2. 7.1.2 关断时间
      3. 7.1.3 漏源导通和关断压摆率
      4. 7.1.4 零电压检测时间（仅限 LMG3656R025）
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
      1. 8.2.1 LMG3650R025 功能方框图
      2. 8.2.2 LMG3651R025 功能方框图
      3. 8.2.3 LMG3656R025 功能方框图
      4. 8.2.4 LMG3657R025 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 驱动强度调整
      2. 8.3.2 VDD 电源
      3. 8.3.3 过流和短路保护
      4. 8.3.4 过热保护
      5. 8.3.5 UVLO 保护
      6. 8.3.6 故障报告
      7. 8.3.7 辅助 LDO（仅限 LMG3651R025）
      8. 8.3.8 零电压检测 (ZVD)（仅限 LMG3656R025）
      9. 8.3.9 零电流检测 (ZCD)（仅限 LMG3657R025）
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 压摆率选择
        2. 9.2.2.2 信号电平转换
    3. 9.3 电源相关建议
      1. 9.3.1 使用隔离式电源
      2. 9.3.2 使用自举二极管
        1. 9.3.2.1 二极管选型
        2. 9.3.2.2 管理自举电压
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • KLA|9
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.3.1 驱动强度调整

LMG365xR025 允许调节器件的驱动强度，并获得所需的压摆率，从而在优化开关损耗和最小化 EMI 时获得灵活性。通过连接电阻器和电容器，可以独立控制导通压摆率的典型值和关断压摆率的最大值，如 图 8-1 所示。在上电时被检测一次 FLT/RDRV 引脚上的电阻和电容。为此，该器件会在外部 RDRVon-RDRVoff-CDRVoff 网络上强制执行 0V 至 1.2V 的阶跃函数，并测量生成的电流波形。直流测量值决定导通压摆率设置，该设置由电阻 RDRVon 编程。RDRVon-RDRVoff-CDRVoff 的交流测量值决定了关断压摆率设置，该设置取决于对输出电容充电的漏极至源极电流大小，但可限制为由电阻 RDRVoff 和电容 CDRVoff（与 RDRVon 并联）编程的最大值。表 8-1 展示了每种压摆率设置下的建议典型电阻和电容编程值。

在上电时确定一次转换率设置，然后 FLT/RDRV 引脚用作推挽式 5V 数字输出以进行故障监控，如 故障报告 中所述。如果不使用 RDRVoff 和 CDRVoff，器件将全速关断，关断压摆率严格取决于 Coss 和负载电流。如果不使用 RDRVon，器件的压摆率设置默认为 100V/ns。使用较慢的导通设置会导致更高的 Eon 损耗，而较慢的关断设置会导致更高的 Eoff 损耗。

LMG3650R025 LMG3651R025 LMG3656R025 LMG3657R025 驱动强度调节电路图 8-1 驱动强度调节电路
表 8-1 用于调节压摆率的建议典型编程电阻 (kΩ) 和电容 (pF)
典型导通压摆率 (V/ns) 最大关断压摆率 (V/ns)
10 20 40 无限制 (1)
RDRVon RDRVoff CDRVoff RDRVoff CDRVoff RDRVoff CDRVoff RDRVoff CDRVoff
10 29.4 2 680 4.87 270 9.09 150 高阻抗(2)
20 35.7 2 680 4.75 270 8.66 150
40 43.2 2 680 4.64 270 8.25 150
60 53.6 2 680 4.64 270 8.06 150
80 69.8 2 680 4.53 270 7.68 150
100 > 400(2) 2 680 4.22 270 6.98 180
(1) 完全取决于为输出电容充电的漏源电流的大小
(2) 可接受编程电阻的开路连接

例如，设置 RDRVon = 53.6kΩ、RDRVoff = 4.64kΩ 和 CDRVoff = 270pF 会导致 60V/ns 的导通压摆率，关断压摆率最大限制为 20V/ns。