ZHCSMW2C December   2021  – November 2025 LM5123-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 说明（续）
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  器件启用/禁用（EN，VH 引脚）
      2. 7.3.2  高压 VCC 稳压器（BIAS、VCC 引脚）
      3. 7.3.3  轻负载开关模式选择（MODE 引脚）
      4. 7.3.4  选择 VOUT 范围（RANGE 引脚）
      5. 7.3.5  线路欠压锁定（UVLO 引脚）
      6. 7.3.6  使用 VCC 保持功能快速重启（VH 引脚）
      7. 7.3.7  可调节的输出调节目标（VOUT、TRK 和 VREF 引脚）
      8. 7.3.8  过压保护（VOUT 引脚）
      9. 7.3.9  电源正常状态指示（PGOOD 引脚）
      10. 7.3.10 动态可编程开关频率 (RT)
      11. 7.3.11 外部时钟同步（SYNC 引脚）
      12. 7.3.12 可编程展频（DITHER 引脚）
      13. 7.3.13 可编程软启动（SS 引脚）
      14. 7.3.14 宽带宽跨导误差放大器和 PWM（TRK，COMP 引脚）
      15. 7.3.15 电流检测和斜率补偿（CSP，CSN 引脚）
      16. 7.3.16 恒定峰值电流限制（CSP，CSN 引脚）
      17. 7.3.17 最大占空比和最小可控导通时间限制
      18. 7.3.18 深度睡眠模式和旁路操作（HO，CP 引脚）
      19. 7.3.19 MOSFET 驱动器、集成式自举二极管和断续模式故障保护（LO、HO、HB 引脚）
      20. 7.3.20 热关断保护
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 器件状态
        1. 7.4.1.1 关断模式
        2. 7.4.1.2 配置模式
        3. 7.4.1.3 工作模式
        4. 7.4.1.4 睡眠模式
        5. 7.4.1.5 深度睡眠模式
      2. 7.4.2 轻负载开关模式
        1. 7.4.2.1 强制 PWM (FPWM) 模式
        2. 7.4.2.2 二极管仿真 (DE) 模式
        3. 7.4.2.3 FPWM 模式下的强制二极管仿真操作
        4. 7.4.2.4 跳跃模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 应用理念
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 系统示例
  10. 9 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 第三方产品免责声明
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RGR|20
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

典型值对应于 TJ = 25°C。最小值和最大值限值适用于 TJ = -40°C 至 125°C 的温度范围。除非另有说明，否则 VBIAS = 12V、VVOUT = 12V、RT = 9.09kΩ、RVREF = 65kΩ
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源电流（BIAS、VCC、VOUT）
IBIAS-SD 关断时的 BIAS 电流 VUVLO = 0V，VOUT = 11.3V 2.5 5 µA
IBIAS-DS1 深度睡眠模式下的 BIAS 电流（在跳跃或二极管仿真模式下，若电荷泵关闭，VCC 由 BIAS 供电） VUVLO = 2.5V、VTRK = 0.25V、VSYNC = 0V、VOUT = 12V 10 16 µA
IBIAS-DS2 深度睡眠模式下的 BIAS 电流（在 FPWM 模式下，若电荷泵关闭，VCC 由 BIAS 供电） VUVLO = 2.5V、VTRK = 0.25V、VSYNC = 0V、VOUT = 12V 40 69 µA
IBIAS-DS3 深度睡眠模式下的 BIAS 电流（在跳跃或二极管仿真模式下，若电荷泵开启，VCC 由 BIAS 供电） VUVLO = 2.5V、VTRK = 0.25V、VSYNC = 2.5V、VOUT = 12V 32 60 µA
IBIAS-DS4 深度睡眠模式下的 BIAS 电流（在 FPWM 模式下，若电荷泵开启，VCC 由 BIAS 供电） VUVLO = 2.5V、VTRK = 0.25V、VSYNC = 2.5V、VOUT = 12V 114 154 µA
IBIAS-SLEEP 睡眠模式下的 BIAS 电流（跳跃模式，VCC 由 BIAS 供电） VUVLO = 2.5V、VTRK = 0.25V、模式 = 打开、VOUT = 5V 13 17.5 µA
IBIAS-ACTIVE 工作时的 BIAS 电流（非开关，VCC 由 BIAS 供电） VUVLO = 2.5V、VTRK = 0.6V、模式 = VCC 1.2 1.5 mA
IVOUT-SD 关断时的 VOUT 电流 VUVLO = 0V，VOUT = 11.3V 1 µA
IVOUT-DS 深度睡眠模式下的 VOUT 电流（二极管仿真模式） VUVLO = 2.5V、VTRK = 0.25V、VOUT = 12V 1.2 1.5 µA
IVOUT-ACTIVE 工作时（非开关）的 VOUT 电流 VUVLO = 2.5V、VTRK = 0.6V、模式 = VCC 42 55 µA
IBATTERY-SD 关闭时的电池消耗 VUVLO = 0V，VOUT = 11.3V 2.5 5 µA
IBATTERY-DS1 深度睡眠模式下的电池消耗（在跳跃或二极管仿真模式下，电荷泵关闭） VUVLO = 2.5V、VTRK = 0.25V、VSYNC = 0V 11 17 µA
IBATTERY-DS2 深度睡眠模式下的电池消耗（FPWM 模式，电荷泵关闭） VUVLO = 2.5V、VTRK = 0.25V、VSYNC = 0V 41 70 µA
IBATTERY-DS3 深度睡眠模式下的电池消耗（在跳跃或二极管仿真模式下，电荷泵开启） VUVLO = 2.5V、VTRK = 0.25V、VSYNC = 2.5V 33 62 µA
IBATTERY-DS4 深度睡眠模式下的电池消耗（FPWM 模式，电荷泵开启） VUVLO = 2.5V、VTRK = 0.25V、VSYNC = 2.5V 115 155 µA
启用，UVLO
VEN-RISING 启用阈值 EN 上升 0.45 0.55 0.65 V
VEN-FALLING 启用阈值 EN 下降 0.35 0.45 0.55 V
VEN-HYS 使能迟滞 EN 下降 55 90 130 mV
IUVLO-HYS UVLO 下拉迟滞电流 VUVLO = 0.7V 8 10 12 µA
VUVLO-RISING UVLO 阈值 UVLO 上升 1.05 1.1 1.15 V
VUVLO-FALLING UVLO 阈值 UVLO 下降 1.025 1.075 1.125 V
VUVLO-HYS UVLO 迟滞 UVLO 下降 25 mV
SYNC/DITHER/VH/CP
VSYNC-RISING SYNC 阈值/SYNC 检测阈值 SYNC 上升 2 V
VSYNC-FALLING SYNC 阈值 SYNC 下降 0.4 V
最小 SYNC 上拉脉冲宽度 100 ns
IDITHER 抖动拉/灌电流 16 21 26 µA
ΔfSW1 fSW 调制（上限） 5 %
ΔfSW2 fSW 调制（下限） -6 %
VDITHER-FALLING 抖动禁用阈值 0.65 0.75 0.85 V
VCC
VVCC-REG1 VCC 调节 IVCC = 100mA 4.75 5 5.25 V
VVCC-REG2 VCC 调节 无负载 4.75 5 5.25 V
VVCC-REG3 压降期间的 VCC 稳压 VBIAS = 3.8V，IVCC = 100mA 3.45 V
VVCC-UVLO-RISING VCC UVLO 阈值 VCC 上升 3.55 3.65 3.75 V
VVCC-UVLO-FALLING VCC UVLO 阈值 VCC 下降 3.2 3.3 3.4 V
IVCC-CL VCC 拉电流限值 VVCC = 4V 100 mA
配置（模式）
VMODE-RISING FPWM 模式阈值 MODE 上升 2.0 V
VMODE-FALLING 二极管仿真模式阈值 MODE 下降 0.4 V
RT
VRT RT 调节 0.5 V
VREF、TRK、VOUT
VREF VREF 调节目标 0.99 1 1.005 V
VOUT-REG 带有电阻分压器的 VOUT 调节目标 1（VOUT 范围下限） VREF 电阻分压器可使 VTRK = 0.25V，RVREF = 65kΩ 4.915 5 5.085 V
VOUT-REG 带有电阻分压器的 VOUT 调节目标 2（VOUT 范围下限） VREF 电阻分压器可使 VTRK = 0.5V，RVREF = 65kΩ 9.9 10 10.1 V
VOUT-REG 带有电阻分压器的 VOUT 调节目标 3（VOUT 范围下限） VREF 电阻分压器可使 VTRK = 1.0V，RVREF = 65kΩ 19.8 20 20.2 V
VOUT-REG 带有电阻分压器的 VOUT 调节目标 4（VOUT 范围上限） VREF 电阻分压器可使 VTRK = 0.25V，RVREF = 35kΩ 14.74 15 15.24 V
VOUT-REG 带有电阻分压器的 VOUT 调节目标 5（VOUT 范围上限） VREF 电阻分压器可使 VTRK = 0.5V，RVREF = 35kΩ 29.7 30 30.3 V
VOUT-REG 带有电阻分压器的 VOUT 调节目标 6（VOUT 范围上限） VREF 电阻分压器可使 VTRK = 0.95V，RVREF = 35kΩ 56.43 57 57.57 V
VOUT-REG 使用 TRK 的 VOUT 调节目标 1（VOUT 范围下限） VTRK = 0.25V、RVREF = 65kΩ 4.91 5 5.09 V
VOUT-REG 使用 TRK 的 VOUT 调节目标 2（VOUT 范围下限） VTRK = 0.5V、RVREF = 65kΩ 9.88 10 10.11 V
VOUT-REG 使用 TRK 的 VOUT 调节目标 3（VOUT 范围下限） VTRK = 1.0V、RVREF = 65kΩ 19.8 20 20.2 V
VOUT-REG 使用 TRK 的 VOUT 调节目标 4（VOUT 范围上限） VTRK = 0.25V、RVREF = 35kΩ 14.71 15 15.25 V
VOUT-REG 使用 TRK 的 VOUT 调节目标 5（VOUT 范围上限） VTRK = 0.5V、RVREF = 35kΩ 29.6 30 30.3 V
VOUT-REG 使用 TRK 的 VOUT 调节目标 6（VOUT 范围上限） VTRK = 0.95V、RVREF = 35kΩ 56.45 57 57.5 V
ITRK TRK 偏置电流 1 uA
软启动，DE 向 FPWM 转换
ISS 软启动电流 17 20 23 µA
VSS-DONE 模式转换开始 SS 上升 1.3 1.5 1.7 V
RSS SS 下拉开关 RDSON 30 70 Ω
VSS-DIS SS 放电检测阈值 30 50 75 mV
VSS-FB 内部 SS 至 FB 钳位 VFB=0V 55 75 mV
电流检测（CSP、CSN、SW、检测）
VSLOPE 峰值斜坡补偿振幅 以 CS 输入为基准 45 mV
ACS 电流检测放大器增益 CSP=3.0V 10 V/V
电流检测放大器增益 CSP=1.5V 10 V/V
VCLTH 正峰值电流限制阈值 (CSP-CSN) CSP = 3.0V，模式 = GND 54 60 66 mV
正峰值电流限制阈值 (CSP-CSN) CSP=1.5V，模式 = GND 51 60 72 mV
VZCD-DE ZCD 阈值（SW- 检测） MODE = GND 4 mV
ICSN CSN 偏置电流 1 µA
ICSP CSP 偏置电流 110 µA
引导故障保护 (HB)
最大充电脉冲周期 4 周期
充电关闭周期 12 周期
进入断续模式保护的组数 4 组
断续模式关闭期间的关断周期 512 周期
误差放大器 (COMP)
Gm 跨导 1 mA/V
ISOURCE-MAX 最大 COMP 拉电流 VCOMP = 0V 95 µA
ISINK-MAX 最大 COMP 灌电流 VCOMP = 1.8V 90 µA
VCLAMP-MAX COMP 最大钳位电压 COMP 上升 1.8 2.2 2.55 V
VCLAMP-MIN COMP 最小钳位电压在睡眠和深度睡眠模式下有效。 COMP 下降 0.25 V
脉宽调制 (PWM)
fSW1 开关频率 RT = 220kΩ 85 100 115 kHz
fSW2 开关频率 RT = 9.09kΩ 1980 2200 2420 kHz
tON-MIN 最短可控导通时间 RT = 9.09kΩ 14 20 50 ns
tOFF-MIN 最短强制关断时间 RT = 9.09kΩ 70 95 115 ns
DMAX1 最大占空比限制  RT = 220kΩ 90 94 98 %
DMAX2 最大占空比限制  RT = 9.09kΩ 75 80 83 %
低 IQ 睡眠模式
VWAKE 内部唤醒阈值 VOUT 下降（以 VOUT-REG 为基准） 98.5 %
睡眠至唤醒延迟 RT = 9.09kΩ 5 us
PGOOD、OVP
VOVTH-RISING 过压阈值（OVP 阈值） VOUT 上升（以 VOUT-REG 为基准） 104.5 108 111 %
VOVTH-FALLING 过压阈值（OVP 阈值） VOUT 下降（以 VOUT-REG 为基准） 100.5 105 109 %
VUVTH-RISING 欠压阈值（PGOOD 阈值） VOUT 上升（以 VOUT-REG 为基准） 91.5 94 98 %
VUVTH-FALLING 欠压阈值（PGOOD 阈值） VOUT 下降（以 VOUT-REG 为基准） 89.5 92 95.5 %
UV 比较器抗尖峰脉冲滤波器 上升沿 26 µs
UV 比较器抗尖峰脉冲滤波器 下降沿 21 µs
RPGOOD PGOOD 下拉开关 RDSON 90 180 Ω
有效 PGOOD 所需的最小 BIAS 2.5 V
MOSFET 驱动器
高态电压降（HO 驱动器） 100mA 灌电流 0.08 0.15 V
低态电压降（HO 驱动器） 100mA 拉电流 0.04 0.1 V
高态电压降（LO 驱动器） 100mA 灌电流 0.08 0.17 V
低态电压降（LO 驱动器） 100mA 拉电流 0.04 0.1 V
VHB-UVLO HB-SW UVLO 阈值 HB-SW 下降 2.2 2.5 3.0 V
IHB-SLEEP 睡眠模式下的 HB 静态电流 HB-SW=5V 3.5 7 µA
tDHL 从 HO 关断至 LO 导通死区时间 20 ns
tDLH 从 LO 关断至 HO 导通死区时间 22 ns
HB 二极管电阻 1.2 Ω
热关断
TTSD-RISING 热关断阈值 温度上升 175 °C
TTSD-HYS 热关断迟滞 15 °C