ZHCSMW2C December   2021  – November 2025 LM5123-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 说明（续）
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  器件启用/禁用（EN，VH 引脚）
      2. 7.3.2  高压 VCC 稳压器（BIAS、VCC 引脚）
      3. 7.3.3  轻负载开关模式选择（MODE 引脚）
      4. 7.3.4  选择 VOUT 范围（RANGE 引脚）
      5. 7.3.5  线路欠压锁定（UVLO 引脚）
      6. 7.3.6  使用 VCC 保持功能快速重启（VH 引脚）
      7. 7.3.7  可调节的输出调节目标（VOUT、TRK 和 VREF 引脚）
      8. 7.3.8  过压保护（VOUT 引脚）
      9. 7.3.9  电源正常状态指示（PGOOD 引脚）
      10. 7.3.10 动态可编程开关频率 (RT)
      11. 7.3.11 外部时钟同步（SYNC 引脚）
      12. 7.3.12 可编程展频（DITHER 引脚）
      13. 7.3.13 可编程软启动（SS 引脚）
      14. 7.3.14 宽带宽跨导误差放大器和 PWM（TRK，COMP 引脚）
      15. 7.3.15 电流检测和斜率补偿（CSP，CSN 引脚）
      16. 7.3.16 恒定峰值电流限制（CSP，CSN 引脚）
      17. 7.3.17 最大占空比和最小可控导通时间限制
      18. 7.3.18 深度睡眠模式和旁路操作（HO，CP 引脚）
      19. 7.3.19 MOSFET 驱动器、集成式自举二极管和断续模式故障保护（LO、HO、HB 引脚）
      20. 7.3.20 热关断保护
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 器件状态
        1. 7.4.1.1 关断模式
        2. 7.4.1.2 配置模式
        3. 7.4.1.3 工作模式
        4. 7.4.1.4 睡眠模式
        5. 7.4.1.5 深度睡眠模式
      2. 7.4.2 轻负载开关模式
        1. 7.4.2.1 强制 PWM (FPWM) 模式
        2. 7.4.2.2 二极管仿真 (DE) 模式
        3. 7.4.2.3 FPWM 模式下的强制二极管仿真操作
        4. 7.4.2.4 跳跃模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 应用理念
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 系统示例
  10. 9 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 第三方产品免责声明
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RGR|20
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.3.17 最大占空比和最小可控导通时间限制

该器件提供最大占空比限制 (DMAX) 和最短关断时间，以涵盖由电阻元件引起的非理想因素。DMAX 能决定最小输入电源电压 (VSUPPLY(MIN))，它可以在 CCM 运行期间实现目标输出电压 (VLOAD)，但 VSUPPLY(MIN)，它可以在 DCM 运行期间实现目标输出电压，不受 DMAX 限制。VSUPPLY (MIN) 可以在 CCM 运行期间实现目标输出电压，可按如下方式进行估算。另请参阅图 6-17。

方程式 13. VSUPPLY(MIN) ≈ VLOAD × (1 - DMAX) + ISUPPLY(MAX) × (RDCR + RS + RDS(ON))

其中

  • ISUPPLY(MAX) 是 VSUPPLY(MIN) 时的最大输入电流。
  • RDCR 是电感器的直流电阻。
  • RDS(ON) 为 MOSFET 的导通电阻。

在极轻负载条件下或当 VSUPPLY 接近 VOUT-REG 时，如果所需导通时间小于 tON-MIN，器件将跳过低侧驱动器脉冲。此脉冲跳跃表现为随机行为。如果 VSUPPLY 进一步增加直至电压高于 VOUT-REG，则所需导通时间将变为 0 且器件最终进入旁路模式，当 VOUT 引脚电压高于VOVTH，此旁路模式将 100% 导通高侧驱动器。