ZHCSUT6L March 2000 – June 2025 LM2678
PRODUCTION DATA
升压电容器产生用于过驱内部功率 MOSFET 栅极的电压。这样可最大限度降低开关的导通电阻和相关的功率损耗,从而提高效率。对于所有应用,建议使用 0.01μF、50V 陶瓷电容器。