ZHCSML6B February   2020  – August 2021 DRV8220

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 器件比较
  6. 6 引脚配置和功能
  7. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 额定值
    3. 7.3 建议工作条件
    4. 7.4 热信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 典型特性
  8. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 外部元件
      2. 8.3.2 控制模式
        1. 8.3.2.1 PWM 控制模式（DSG：MODE = 0 和 DRL）
        2. 8.3.2.2 PH/EN 控制模式（DSG：MODE = 1）
        3. 8.3.2.3 半桥控制模式（DSG：MODE = 高阻态）
      3. 8.3.3 保护电路
        1. 8.3.3.1 电源欠压锁定（UVLO）
        2. 8.3.3.2 OUTx 过流保护（OCP）
        3. 8.3.3.3 热关断（TSD）
      4. 8.3.4 引脚图
        1. 8.3.4.1 逻辑电平输入
        2. 8.3.4.2 三电平输入
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 工作模式
      2. 8.4.2 低功耗睡眠模式
      3. 8.4.3 故障模式
  9. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 全桥驱动
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
          1. 9.2.1.2.1 电源电压
          2. 9.2.1.2.2 控制接口
          3. 9.2.1.2.3 低功耗运行
        3. 9.2.1.3 应用曲线
      2. 9.2.2 半桥驱动
        1. 9.2.2.1 设计要求
        2. 9.2.2.2 详细设计过程
          1. 9.2.2.2.1 电源电压
          2. 9.2.2.2.2 控制接口
          3. 9.2.2.2.3 低功耗运行
        3. 9.2.2.3 应用曲线
      3. 9.2.3 双线圈继电器驱动
        1. 9.2.3.1 设计要求
        2. 9.2.3.2 详细设计过程
          1. 9.2.3.2.1 电源电压
          2. 9.2.3.2.2 控制接口
          3. 9.2.3.2.3 低功耗运行
        3. 9.2.3.3 应用曲线
      4. 9.2.4 电流检测
        1. 9.2.4.1 设计要求
        2. 9.2.4.2 详细设计过程
          1. 9.2.4.2.1 分流电阻器大小调整
          2. 9.2.4.2.2 RC 滤波器
    3. 9.3 电流能力和热性能
      1. 9.3.1 功率耗散和输出电流能力
      2. 9.3.2 热性能
        1. 9.3.2.1 稳态热性能
        2. 9.3.2.2 瞬态热性能
  10. 10电源建议
    1. 10.1 大容量电容
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 支持资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 12.6 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.4.2 低功耗睡眠模式

DRV8220 支持低功耗睡眠模式，以在驱动器未工作时减少 VM 的电流消耗。在低功耗睡眠模式下，器件消耗的电流最少，由 IVMQ 表示。在 DSG 封装中有两种方法可以进入低功耗睡眠模式：自动睡眠和使用 nSLEEP 引脚。表 8-8 介绍了如何进入低功耗睡眠模式。DRL 封装型号仅支持自动睡眠模式。

表 8-8 DRV8220 睡眠模式汇总
型号 输入引脚状态 OUT1 OUT2 说明
DRL IN1 = IN2 = 0 高阻态 高阻态 PWM 接口自动睡眠：进入该状态后，输出将被禁用。器件将保持工作模式 tSLEEP 时间，然后进入低功耗模式。
DSG MODE = 0，IN1 = IN2 = 0 高阻态 高阻态
MODE = 1，EN = 0 L → 高阻态 L → 高阻态 PH/EN 接口自动睡眠：进入该状态后，通过接通低侧 FET，两个输出都进入制动模式。器件将保持此状态 tSLEEP 时间，然后进入低功耗模式。处于低功耗模式后，输出将被禁用。
nSLEEP = 0 高阻态 高阻态 睡眠引脚：当 nSLEEP 引脚变为低电平时，输出被禁用，且器件立即进入低功耗睡眠模式。

当输入引脚转为表 8-8 中所述状态之外的其他状态时，器件将返回运行模式。要将器件从自动睡眠模式唤醒，INx 引脚或 EN 引脚（取决于 MODE 状态和封装型号）必须设置为高电平超过 tWAKE 时间，然后才能接收 PWM 输入信号。使用 nSLEEP 引脚时，nSLEEP 必须设置为高电平超过 tWAKE 时间且 INx 或 EN 引脚不得处于自动睡眠状态。

在 DSG 封装中，TI 建议在 PWM 或 PH/EN 接口模式下使用自动睡眠时将 nSLEEP 引脚连接到逻辑电源轨。对于微控制器控制 nSLEEP 的应用，设计人员必须确保在 VM > VUVLO 时 nSLEEP 不悬空。这可能会导致意外输出，具体取决于 MODE、IN1/PH 和 IN2/EN 引脚的状态。如果系统中可能出现这种情况，TI 建议在 nSLEEP 上使用 100kΩ 下拉电阻。