ZHCSSF9 june   2023 CDCE6214Q1TM

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 修订历史记录
  6. 说明(续)
  7. 器件比较
  8. 引脚配置和功能
  9. 规格
    1. 8.1  绝对最大额定值
    2. 8.2  ESD 等级
    3. 8.3  建议运行条件
    4. 8.4  热性能信息
    5. 8.5  EEPROM 特性
    6. 8.6  基准输入,单端特性
    7. 8.7  基准输入,差分特性
    8. 8.8  基准输入,晶体模式特性
    9. 8.9  通用输入特性
    10. 8.10 三电平输入特性
    11. 8.11 逻辑输出特性
    12. 8.12 锁相环特性
    13. 8.13 闭环输出抖动特性
    14. 8.14 输入和输出隔离
    15. 8.15 缓冲模式特性
    16. 8.16 PCIe 展频发生器
    17. 8.17 LVCMOS 输出特性
    18. 8.18 LP-HCSL 输出特性
    19. 8.19 LVDS 输出特性
    20. 8.20 输出同步特性
    21. 8.21 上电复位特性
    22. 8.22 与 I2C 兼容的串行接口特性
    23. 8.23 时序要求,与 I2C 兼容的串行接口
    24. 8.24 电源特性
    25. 8.25 典型特性
  10. 参数测量信息
    1. 9.1 基准输入
    2. 9.2 输出
    3. 9.3 串行接口
    4. 9.4 PSNR 测试
    5. 9.5 时钟连接和端接
      1. 9.5.1 基准输入
      2. 9.5.2 输出
  11. 10详细说明
    1. 10.1 概述
    2. 10.2 功能方框图
    3. 10.3 特性说明
      1. 10.3.1 基准块
        1. 10.3.1.1 零延迟模式,内部和外部路径
      2. 10.3.2 锁相环 (PLL)
        1. 10.3.2.1 PLL 配置和分频器设置
        2. 10.3.2.2 扩频时钟
        3. 10.3.2.3 数字控制振荡器和频率递增或递减 - 串行接口模式和 GPIO 模式
      3. 10.3.3 时钟分配
        1. 10.3.3.1 无毛刺运行
        2. 10.3.3.2 分频器同步
        3. 10.3.3.3 全局和单独输出使能
      4. 10.3.4 电源和电源管理
      5. 10.3.5 控制引脚
    4. 10.4 器件功能模式
      1. 10.4.1 运行模式
        1. 10.4.1.1 回退模式
        2. 10.4.1.2 引脚模式
        3. 10.4.1.3 串行接口模式
    5. 10.5 编程
      1. 10.5.1 I2C 串行接口
      2. 10.5.2 EEPROM
        1. 10.5.2.1 EEPROM - 循环冗余校验
        2. 10.5.2.2 建议的编程过程
        3. 10.5.2.3 EEPROM 访问
          1. 10.5.2.3.1 寄存器提交流程
          2. 10.5.2.3.2 直接访问流程
        4. 10.5.2.4 寄存器位到 EEPROM 映射
  12. 11应用和实施
    1. 11.1 应用信息
    2. 11.2 典型应用
      1. 11.2.1 设计要求
      2. 11.2.2 详细设计过程
      3. 11.2.3 应用曲线
    3. 11.3 电源相关建议
      1. 11.3.1 上电序列
      2. 11.3.2 去耦合
    4. 11.4 布局
      1. 11.4.1 布局指南
      2. 11.4.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 开发支持
      2. 12.1.2 器件命名规则
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 支持资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 静电放电警告
    6. 12.6 术语表
  14. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

布局指南

对于本示例,请遵循以下准则:

  • 使用 GND 屏蔽隔离输入和输出。BROKEN_LINK 将所有输入和输出作为差分对进行路由。
  • 生成多个频率时将输出与相邻输出相隔离。
  • 隔离晶体区域,连接晶体封装的 GND 焊盘并淹没相邻区域。图 11-6 展示了支持多种晶体尺寸的封装。
  • 尽可能避免扇入和扇出区域的阻抗跳跃。
  • 使用五个过孔将散热焊盘连接到一个实心 GND 平面。最好使用全通过孔。
  • 将具有小电容值的去耦电容器放置在非常靠近电源引脚的位置。尝试将这些电容器非常靠近地放置在同一层上或直接放置在背面层上。值越大,可以放置得越远。图 11-6 展示了靠近器件的三个去耦电容器。建议使用铁氧体磁珠来隔离不同的频域和 VDD_VCO 域。
  • 最好使用多个过孔将宽电源引线连接到相应的电源平面。