ZHCSZ16 October   2025 BQ25692-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  器件上电复位
      2. 6.3.2  仅电池上电状态
      3. 6.3.3  器件高阻态状态
      4. 6.3.4  为 REGN LDO 上电
      5. 6.3.5  默认 VINDPM 设置
      6. 6.3.6  具有 CELL、ICHG 和 VCHG 引脚的默认充电曲线设置
      7. 6.3.7  降压/升压转换器运行
        1. 6.3.7.1 脉冲频率调制 (PFM)
        2. 6.3.7.2 开关频率和抖动功能
      8. 6.3.8  正向（灌电流）运行
        1. 6.3.8.1 电源路径管理
          1. 6.3.8.1.1 动态电源管理
            1. 6.3.8.1.1.1 ILIM_HIZ 引脚
            2. 6.3.8.1.1.2 输入电流优化器 (ICO)
        2. 6.3.8.2 电池充电管理
          1. 6.3.8.2.1 电池检测
          2. 6.3.8.2.2 自主充电周期
          3. 6.3.8.2.3 电池充电曲线
          4. 6.3.8.2.4 充电终止
          5. 6.3.8.2.5 充电安全计时器
          6. 6.3.8.2.6 CV 计时器
          7. 6.3.8.2.7 热敏电阻认证
            1. 6.3.8.2.7.1 充电模式下的 JEITA 指南合规性
            2. 6.3.8.2.7.2 反向模式下的冷/热温度窗口
        3. 6.3.8.3 旁路模式
      9. 6.3.9  反向（拉电流）模式 (USB On-The-Go)
        1. 6.3.9.1 反向（拉电流）模式运行
        2. 6.3.9.2 备用电源模式
        3. 6.3.9.3 反向旁路模式
      10. 6.3.10 状态输出（ STAT 和 INT）
        1. 6.3.10.1 电源正常状态指示器 (PG_STAT)
        2. 6.3.10.2 充电状态指示灯（STAT 引脚）
        3. 6.3.10.3 主机中断 (INT)
      11. 6.3.11 串行接口
        1. 6.3.11.1 数据有效性
        2. 6.3.11.2 启动条件和停止条件
        3. 6.3.11.3 字节格式
        4. 6.3.11.4 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
        5. 6.3.11.5 目标地址和数据方向位
        6. 6.3.11.6 单独写入和读取
        7. 6.3.11.7 多个写入和多个读取
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 主机模式和默认模式
      2. 6.4.2 复位寄存器位
    5. 6.5 寄存器映射
      1. 6.5.1 BQ25692Q1 寄存器
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用设计示例
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 电感器选型
        2. 7.2.2.2 电容器
        3. 7.2.2.3 降压模式输入 (VIN) 电容器
        4. 7.2.2.4 升压模式输出 (VOUT) 电容器
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 第三方产品免责声明
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息
    1. 10.1 封装选项附录
    2. 10.2 卷带包装信息
    3. 10.3 机械数据

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RBA|26
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

6.3.9.3 反向旁路模式

该器件支持反向旁路模式，允许 VIN = VSYS（无需调节）并实现出色效率。在反向旁路运行模式下，降压和升压高侧 FET（Q1 和 Q4）均导通，而降压和升压低侧 FET（Q2 和 Q3）保持关断。电池功率直接通过功率级传递到输入。MOSFET 的开关损耗和电感器磁芯损耗被消除，从而提供出色效率。通过将 EN_REV 和 EN_BYPASS 寄存器位设置为 1 启用反向旁路模式。

当器件处于反向旁路模式时，流过 RAC_SNS 的电流受到监测并与 IIN_REV 寄存器设置进行比较。如果输入电流超过 IREV_BYP_OCP（比 IIN_REV 设置高 15%）且持续时间达到 tBYP_OCP，则器件自动退出旁路模式并返回到 PWM 调节模式（开关功率级已启用）。EN_BYPASS 位清零，BYPASS_FLAG 位设置，并且 INT 脉冲被置为有效以向主机表明 BYPASS_MASK 是否被清除。

为避免浪涌电流误启动旁路过流保护，TI 建议在 VIN 处于 VSYS 的 0.5V 以内时进入旁路模式。典型用例是先确保 EN_BAT_DETECT = 0，然后启用反向模式 (EN_REV = 1)，然后更改 VIN_REV 设置以实现 VIN ~ VSYS 条件，然后设置 EN_BYPASS = 1。

BQ25692-Q1 内部反向旁路模式图 6-9 内部反向旁路模式

除了内部反向旁路模式，该器件还提供外部反向旁路模式，可实现最高效率且电流高达 5A。在这种情况下，BYPDRV 引脚驱动外部背对背 MOSFET，以便将 VIN 直接连接到 SYS。可以通过设置 EN_REV = EN_EXT_BYPASS = EN_BYPASS = 1 来启用外部反向旁路模式。

当器件处于外部反向旁路模式时，流经 RAC_SNS 的电流受到监测。如果 RAC_SNS 电流超过 IREV_EXTBYP_OCP 且持续时间达到 tBYP_OCP，器件自动退出外部反向旁路模式并返回到 PWM 调节模式（开关功率级已启用）。EN_BYPASS 位清零，BYPASS_FLAG 位设置，并且 INT 脉冲被置为有效以向主机表明 BYPASS_MASK 是否被清除。请注意 EN_EXT_BYPASS 位不变。

为避免浪涌电流误启动旁路过流保护，TI 建议在 VIN 处于 VSYS 的 0.5V 以内时进入反向旁路模式。典型用例是先确保 EN_BAT_DETECT = 0，然后启用反向模式 (EN_REV = 1)，然后更改 VIN_REV 设置以实现 VIN ~ VSYS 条件，然后设置 EN_EXT_BYPASS = EN_BYPASS = 1。

轻负载旁路自动退出功能可防止在反向旁路模式期间出现反向电流方向流动。充电器进行监测直到输入电流降至 IREV_BYP_LL 以下，此时它会自动退出旁路模式并返回 PWM 调节模式。在内部和外部旁路模式期间，该保护功能均处于活动状态，但可以通过设置 EN_BYPASS_LL_EXIT = 0 来禁用。EN_BYPASS 位清零，BYPASS_FLAG 位设置，并且 INT 脉冲被置为有效以向主机表明 BYPASS_MASK 是否被清除。

BQ25692-Q1 外部反向旁路模式图 6-10 外部反向旁路模式