ZHCSMZ9C September   2022  – February 2024 BQ25620 , BQ25622

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 说明（续）
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 时序要求
    7. 7.7 典型特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  上电复位 (POR)
      2. 8.3.2  通过电池实现器件上电
      3. 8.3.3  通过输入源实现器件上电
        1. 8.3.3.1 REGN LDO 上电
        2. 8.3.3.2 不良源鉴定
        3. 8.3.3.3 D+/D– 检测设置输入电流限值（仅限 BQ25620）
        4. 8.3.3.4 ILIM 引脚（仅限 BQ25622）
        5. 8.3.3.5 输入电压限制阈值设置（VINDPM 阈值）
        6. 8.3.3.6 转换器上电
      4. 8.3.4  电源路径管理
        1. 8.3.4.1 窄 VDC 架构
        2. 8.3.4.2 动态电源管理
        3. 8.3.4.3 高阻抗模式
      5. 8.3.5  电池充电管理
        1. 8.3.5.1 自主充电周期
        2. 8.3.5.2 电池充电曲线
        3. 8.3.5.3 充电终止
        4. 8.3.5.4 热敏电阻认证
          1. 8.3.5.4.1 充电模式下的高级温度曲线
          2. 8.3.5.4.2 TS 引脚热敏电阻配置
          3. 8.3.5.4.3 OTG 模式下的冷/热温度窗口
          4. 8.3.5.4.4 JEITA 充电率调节
          5. 8.3.5.4.5 TS_BIAS 引脚（仅限 BQ25622）
        5. 8.3.5.5 充电安全计时器
      6. 8.3.6  USB On-The-Go (OTG)
        1. 8.3.6.1 升压 OTG 模式
      7. 8.3.7  用于监测的集成 12 位 ADC
      8. 8.3.8  状态输出（ PG、STAT、INT）
        1. 8.3.8.1 PG 引脚电源正常状态指示器
        2. 8.3.8.2 中断和状态、标志和屏蔽位
        3. 8.3.8.3 充电状态指示灯 (STAT)
        4. 8.3.8.4 主机中断 (INT)
      9. 8.3.9  BATFET 控制
        1. 8.3.9.1 关断模式
        2. 8.3.9.2 运输模式
        3. 8.3.9.3 系统电源复位
      10. 8.3.10 保护功能
        1. 8.3.10.1 仅电池模式和 HIZ 模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.10.1.1 电池欠压锁定
          2. 8.3.10.1.2 电池过流保护
        2. 8.3.10.2 降压模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.10.2.1 输入过压
          2. 8.3.10.2.2 系统过压保护 (SYSOVP)
          3. 8.3.10.2.3 正向转换器逐周期电流限制
          4. 8.3.10.2.4 系统短路
          5. 8.3.10.2.5 电池过压保护 (BATOVP)
          6. 8.3.10.2.6 睡眠比较器和不良源比较器
        3. 8.3.10.3 升压模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.10.3.1 升压模式过压保护
          2. 8.3.10.3.2 升压模式占空比保护
          3. 8.3.10.3.3 升压模式 PMID 欠压保护
          4. 8.3.10.3.4 升压模式电池欠压
          5. 8.3.10.3.5 升压转换器逐周期电流限制
          6. 8.3.10.3.6 升压模式 SYS 短路
        4. 8.3.10.4 热调节和热关断
          1. 8.3.10.4.1 降压模式下的过热保护
          2. 8.3.10.4.2 升压模式下的过热保护
          3. 8.3.10.4.3 仅电池模式下的过热保护
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 主机模式和默认模式
      2. 8.4.2 复位寄存器位
    5. 8.5 编程
      1. 8.5.1 串行接口
        1. 8.5.1.1 数据有效性
        2. 8.5.1.2 START 和 STOP 条件
        3. 8.5.1.3 字节格式
        4. 8.5.1.4 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
        5. 8.5.1.5 目标地址和数据方向位
        6. 8.5.1.6 单独写入和读取
        7. 8.5.1.7 多个写入和多个读取
    6. 8.6 寄存器映射
      1. 8.6.1 寄存器编程
      2. 8.6.2 BQ25620 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 电感器选型
        2. 9.2.2.2 输入电容器
        3. 9.2.2.3 输出电容器
      3. 9.2.3 应用曲线
  11. 10电源相关建议
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 第三方产品免责声明
    2. 12.2 文档支持
      1. 12.2.1 相关文档
    3. 12.3 接收文档更新通知
    4. 12.4 支持资源
    5. 12.5 商标
    6. 12.6 静电放电警告
    7. 12.7 术语表
  14. 13修订历史记录
  15. 14机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.5 电气特性

典型值在 VVBUS_UVLOZ < VVBUS < VVBUS_OVP、TJ = -40°C 至 +125°C 以及 TJ = 25°C 条件下测得（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
静态电流
IQ_BAT 当充电器处于纯电池模式、BATFET 启用、ADC 禁用时的静态电池电流（BAT、SYS、SW） VBAT = 4V，无 VBUS，BATFET 启用，I2C 启用，ADC 禁用，系统由电池供电。-40°C < TJ < 60°C 1.5 3 µA
IQ_BAT_ADC 当充电器处于纯电池模式、BATFET 启用、ADC 启用时的静态电池电流（BAT、SYS、SW） VBAT = 4V，无 VBUS，BATFET 启用，I2C 启用，ADC 启用，系统由电池供电。-40°C < TJ < 60°C 260 µA
IQ_BAT_SD 充电器处于关断模式、BATFET 禁用、ADC 禁用时的静态电池电流 (BAT) VBAT = 4V，无 VBUS，BATFET 禁用，I2C 禁用，处于关断模式，ADC 禁用，TJ < 60°C 0.1 0.2 µA
IQ_BAT_SHIP 充电器处于运输模式、BATFET 禁用、ADC 禁用时的静态电池电流 (BAT) VBAT = 4V，无 VBUS，BATFET 禁用，I2C 禁用，处于运输模式，ADC 禁用，TJ < 60°C 0.15 0.5 µA
IQ_VBUS 静态输入电流 (VBUS) VBUS = 5V，VBAT = 4V，充电禁用，转换器开关，ISYS = 0A，PFM 启用 450 µA
IQ_VBUS_HIZ 静态输入电流 (VBUS)，以 HIZ 为单位 VBUS = 5V，VBAT = 4V，高阻态模式，ADC 禁用 5 20 µA
VBUS = 15V，VBAT = 4V，高阻态模式，ADC 禁用 20 35 µA
IQ_OTG 升压 OTG 模式下的静态电池电流（BAT、SYS、SW） VBAT = 4.2V，VBUS = 5V，OTG 模式启用，转换器开关，PFM 启用，IVBUS = 0A，TS 悬空，TS_IGNORE = 1 250 µA
VBUS/VBAT 电源
VVBUS_OP VBUS 工作范围 3.9 18 V
VVBUS_UVLO VBUS 下降以关闭 I2C，无电池 VBUS 下降 3.0 3.15 3.3 V
VVBUS_UVLOZ VBUS 上升用于有源 I2C，无电池 VBUS 上升 3.2 3.35 3.5 V
VVBUS_OVP VBUS 过压上升阈值 VBUS 上升，VBUS_OVP = 0 6.1 6.4 6.7 V
VVBUS_OVPZ VBUS 欠压下降阈值 VBUS 上升，VBUS_OVP = 0 5.8 6.0 6.2 V
VVBUS_OVP VBUS 过压上升阈值 VBUS 上升，VBUS_OVP = 1 18.2 18.5 18.8 V
VVBUS_OVPZ VBUS 过压下降阈值 VBUS 下降，VBUS_OVP = 1 17.4 17.7 18.0 V
VSLEEP 进入睡眠模式阈值 (VBUS - VBAT)，VBUS 下降 9 45 85 mV
VSLEEPZ 退出睡眠模式阈值 (VBUS - VBAT)，VBUS 上升 115 220 340 mV
VBAT_UVLOZ 用于有源 I2C 的电池电压，打开 BATFET，无 VBUS VBAT 上升 2.3 2.4 2.5 V
VBAT_UVLO BAT 电压关闭 I2C，关闭 BATFET，无 VBUS VBAT 下降，VBAT_UVLO = 0 2.1 2.2 2.3 V
VBAT 下降，VBAT_UVLO = 1 1.7 1.8 1.9 V
VBAT_OTG 启用 OTG 模式的电池电压上升阈值 VBAT 上升，VBAT_OTG_MIN = 0 2.9 3.0 3.1 V
VBAT 上升，VBAT_OTG_MIN = 1 2.5 2.6 2.7 V
VBAT_OTGZ 禁用 OTG 模式的电池电压下降阈值 VBAT 下降，VBAT_OTG_MIN = 0 2.7 2.8 2.9 V
VBAT 下降，VBAT_OTG_MIN = 1 2.3 2.4 2.5 V
VPOORSRC 适配器不良检测阈值 VBUS 下降 3.6 3.7 3.75 V
IPOORSRC 适配器不良检测电流源 10 mA
电源路径管理
VSYS_REG_ACC 典型系统电压调节 ISYS = 0A，VBAT > VSYSMIN，禁用充电。失调电压高于 VBAT 50 mV
ISYS = 0A，VBAT < VSYSMIN，禁用充电。失调电压高于 VSYSMIN 230 mV
VSYSMIN_RNG VSYSMIN 寄存器范围 2.56 3.84 V
VSYSMIN_REG_STEP VSYSMIN 寄存器步长量 80 mV
VSYSMIN_REG_ACC 最小直流系统电压输出 ISYS = 0A，VBAT < VSYSMIN = B00h (3.52V)，禁用充电 3.52 3.75 V
VSYS_SHORT 用于进入强制 PFM 的 VSYS 短路电压下降阈值 0.9 V
VSYS_SHORTZ 用于退出强制 PFM 的 VSYS 短路电压上升阈值 1.1 V
电池充电器
VREG_RANGE 典型充电电压调节范围 3.50 4.80 V
VREG_STEP 典型充电电压步长 10 mV
VREG_ACC 充电电压精度 TJ = 25°C -0.3 0.3 %
TJ = –10°C - 85°C -0.4 0.4 %
ICHG_RANGE 典型充电电流调节范围 0.08 3.52 A
ICHG_STEP 典型充电电流调节步长 80 mA
ICHG_ACC 充电电流精度 VBAT = 3.1V 或 3.8V，ICHG = 1760mA，TJ = –10°C - 85°C -5 5 %
VBAT = 3.1V 或 3.8V，ICHG = 1040mA，TJ = –10°C - 85°C -5.5 5.5 %
VBAT = 3.1V 或 3.8V，ICHG = 320mA，TJ = –10°C - 85°C -5.5 5.5 %
IPRECHG_RANGE 典型预充电电流范围 20 620 mA
IPRECHG_STEP 典型预充电电流步长 20 mA
IPRECHG_ACC 当 VBAT 低于 VSYSMIN 设置时的预充电电流精度 VBAT = 2.5V，IPRECHG = 500mA，TJ = –10°C - 85°C -12 12 %
VBAT = 2.5V，IPRECHG = 200mA，TJ = –10°C - 85°C -12 12 %
VBAT = 2.5V，IPRECHG = 100mA，TJ = –10°C - 85°C -15 15 %
ITERM_RANGE 典型终止电流范围 10 620 mA
ITERM_STEP 典型终止电流步长 10 mA
ITERM_ACC 终止电流精度 ITERM = 20mA，TJ = –10°C - 85°C -60 60 %
ITERM = 100mA，TJ = –10°C - 85°C -15 15 %
ITERM = 300mA，TJ = –10°C - 85°C -13 13 %
VBAT_SHORTZ 开始预充电的电池短路电压上升阈值 VBAT 上升 2.25 V
VBAT_SHORT 停止预充电的电池短路电压下降阈值 VBAT 下降，VBAT_UVLO=0 2.05 V
VBAT_SHORT 停止预充电的电池短路电压下降阈值 VBAT 下降，VBAT_UVLO=1 1.85 V
IBAT_SHORT 电池短路涓流充电电流 VBAT < VBAT_SHORTZ，ITRICKLE = 0 15 25 35 mA
VBAT < VBAT_SHORTZ，ITRICKLE = 1  62 82 102 mA
VBAT_LOWVZ 电池电压上升阈值 从预充电转换到快速充电 2.9 3.0 3.1 V
VBAT_LOWV 电池电压下降阈值 从快速充电转换到预充电 2.7 2.8 2.9 V
VRECHG 电池充电阈值低于 VREG VBAT 下降，VRECHG = 0 100 mV
VBAT 下降，VRECHG = 1 200 mV
IPMID_LOAD PMID 放电负载电流 20 30 mA
IBAT_LOAD 电池放电负载电流 20 30 mA
ISYS_LOAD 系统放电负载电流 20 30 mA
BATFET
RBATFET 从 SYS 到 BAT 的 MOSFET 导通电阻 15 25 mΩ
电池保护
VBAT_OVP 电池过压上升阈值 占 VREG 的百分比 103 104 105 %
VBAT_OVPZ 电池过压下降阈值 占 VREG 的百分比 101 102 103 %
IBATFET_OCP BATFET 过流上升阈值 6 A
IBAT_PK 电池放电峰值电流上升阈值 IBAT_PK = 00 1.5 A
IBAT_PK = 01 3 A
IBAT_PK = 10 6 A
IBAT_PK = 11 12 A
输入电压/电流调节
VINDPM_RANGE 典型输入电压调节范围 3.8 16.8 V
VINDPM_STEP 典型输入电压调节步长 40 mV
VINDPM_ACC 输入电压调节精度 VINDPM=4.6V -4 4 %
VINDPM=8V -3 3 %
VINDPM=16V -2 2 %
VINDPM_BAT_TRACK 电池跟踪 VINDPM 精度 VBAT = 3.9V，VINDPM_BAT_TRACK=1，VINDPM = 4V 4.15 4.3 4.45 V
IINDPM_RANGE 典型输入电流调节范围 0.04 3.2 A
IINDPM_STEP 典型输入电流调节步长 20 mA
IINDPM_ACC 输入电流调节精度 IINDPM = 500mA，VBUS=5V 450 475 500 mA
IINDPM = 900mA，VBUS=5V 810 855 900 mA
IINDPM = 1500mA，VBUS=5V 1350 1425 1500 mA
KILIM ILIM 引脚比例因子，IINREG = KILIM/RILIM INREG = 1.6A 2250 2500 2750 AΩ
D+/D- 检测
VD+D-_0p6V_SRC D+/D- 电压源 (600mV) D+/D- 上的负载为 1mA 400 600 800 mV
ID+D-_LKG 流入 D+/D- 的漏电流 高阻态模式 -1 1 µA
VD+D-_2p8 用于非标准适配器的 D+/D- 比较器阈值 2.55 2.85 V
VD+D-_2p0 用于非标准适配器的 D+/D- 比较器阈值 1.85 2.15 V
热调节和热关断
TREG 结温调节精度 TREG = 1 120 °C
TREG = 0 60 °C
TSHUT 热关断上升阈值 温度升高 140 °C
TSHUT_HYS 热关断下降迟滞 温度下降了 TSHUT_HYS 30 °C
热敏电阻比较器（充电模式）
VTS_COLD TH1 比较器从 TS_COOL 转换到 TS_COLD 的 TS 引脚上升电压阈值。  高于此电压时，暂停充电。 占 TS 引脚偏置基准的百分比（-5°C，带 103AT），TS_TH1_TH2_TH3 = 100，101，110 75.0 75.5 76.0 %
占 TS 引脚偏置基准的百分比（0°C，带 103AT），TS_TH1_TH2_TH3 = 000，001，010，011，111 72.8 73.3 73.8 %
VTS_COLDZ TH1 比较器从 TS_COLD 转换到 TS_COOL 的 TS 引脚下降电压阈值。  低于此电压时，TS_COOL 充电设置恢复。 占 TS 引脚偏置基准的百分比（-2.5°C，带 103AT），TS_TH1_TH2_TH3 = 100，101，110 73.9 74.4 74.9 %
占 TS 引脚偏置基准的百分比（2.5°C，带 103AT），TS_TH1_TH2_TH3 = 000，001，010，011，111 71.7 72.2 72.7 %
VTS_COOL TH2 比较器从 TS_PRECOOL 转换到 TS_COOL 的 TS 引脚上升电压阈值。  高于此电压时，使用 TS_COOL 充电设置。 占 TS 引脚偏置基准的百分比（5°C，带 103AT），TS_TH1_TH2_TH3 = 000，100 70.6 71.1 71.6 %
占 TS 引脚偏置基准的百分比（10°C，带 103AT），TS_TH1_TH2_TH3 = 001，101，110，111 67.9 68.4 68.9 %
占 TS 引脚偏置基准的百分比（15°C，带 103AT），TS_TH1_TH2_TH3 = 010 65.0 65.5 66.0 %
占 TS 引脚偏置基准的百分比（20°C，带 103AT），TS_TH1_TH2_TH3 = 011 61.9 62.4 62.9 %
VTS_COOLZ TH2 比较器从 TS_COOL 转换到 TS_PRECOOL 的 TS 引脚下降电压阈值。  低于此电压时，TS_PRECOOL 充电设置恢复。 占 TS 引脚偏置基准的百分比（7.5°C，带 103AT），TS_TH1_TH2_TH3 = 000，100 69.3 69.8 70.3 %
占 TS 引脚偏置基准的百分比（12.5°C，带 103AT），TS_TH1_TH2_TH3 = 001，101，110，111 66.6 67.1 67.6 %
占 TS 引脚偏置基准的百分比（17.5°C，带 103AT），TS_TH1_TH2_TH3 = 010 63.7 64.2 64.7 %
占 TS 引脚偏置基准的百分比（22.5°C，带 103AT），TS_TH1_TH2_TH3 = 011 60.6 61.1 61.6 %
VTS_PRECOOL TH3 比较器从 TS_NORMAL 转换到 TS_PRECOOL 的 TS 引脚上升电压阈值。  高于此电压时，TS_PRECOOL 充电设置恢复。 占 TS 引脚偏置基准的百分比（15°C，带 103AT），TS_TH1_TH2_TH3 = 000，001，100，101 65.0 65.5 66.0 %
占 TS 引脚偏置基准的百分比（20°C，带 103AT），TS_TH1_TH2_TH3 = 010，011，110，111 61.9 62.4 62.9 %
VTS_PRECOOLZ TH3 比较器从 TS_PRECOOL 转换到 TS_NORMAL 的 TS 引脚下降电压阈值。  低于此电压时，恢复正常充电。 占 TS 引脚偏置基准的百分比（17.5°C，带 103AT），TS_TH1_TH2_TH3 = 000，001，100，101 63.7 64.2 64.7 %
占 TS 引脚偏置基准的百分比（22.5°C，带 103AT），TS_TH1_TH2_TH3 = 010，011，110，111 60.6 61.1 61.6 %
VTS_PREWARM TH4 比较器从 TS_NORMAL 转换到 TS_PREWARM 的 TS 引脚下降电压阈值。  低于此电压时，使用 TS_PREWARM 充电设置。 占 TS 引脚偏置基准的百分比（35°C，带 103AT），TS_TH4_TH5_TH6 = 000，001，010，100，101 51.5 52.0 52.5 %
占 TS 引脚偏置基准的百分比（40°C，带 103AT），TS_TH4_TH5_TH6 = 011，110，111 47.9 48.4 48.9 %
VTS_PREWARMZ TH4 比较器从 TS_PREWARM 转换到 TS_NORMAL 的 TS 引脚上升电压阈值。  高于此电压时，恢复正常充电。 占 TS 引脚偏置基准的百分比（32.5°C，带 103AT），TS_TH4_TH5_TH6 = 000，001，010，100，101 53.3 53.8 54.3 %
占 TS 引脚偏置基准的百分比（37.5°C，带 103AT），TS_TH4_TH5_TH6 = 011，110，111 49.2 49.7 50.2 %

VTS_WARM
 		 TH5 比较器从 TS_PREWARM 转换到 TS_WARM 的 TS 引脚下降电压阈值。  低于此电压时，使用 TS_WARM 充电设置。 占 TS 引脚偏置基准的百分比（40°C，带 103AT），TS_TH4_TH5_TH6 = 000，100 47.9 48.4 48.9 %
占 TS 引脚偏置基准的百分比（45°C，带 103AT），TS_TH4_TH5_TH6 = 001，101，110 44.3 44.8 45.3 %
占 TS 引脚偏置基准的百分比（50°C，带 103AT），TS_TH4_TH5_TH6 = 010，111 40.7 41.2 41.7 %
占 TS 引脚偏置基准的百分比（55°C，带 103AT），TS_TH4_TH5_TH6 = 011 37.2 37.7 38.2 %
VTS_WARMZ TH5 比较器从 TS_WARM 转换到 TS_PREWARM 的 TS 引脚上升电压阈值。  高于此电压时，TS_PREWARM 充电设置恢复。 占 TS 引脚偏置基准的百分比（37.5°C，带 103AT），TS_TH4_TH5_TH6 = 000，100 49.2 49.7 50.2 %
占 TS 引脚偏置基准的百分比（42.5°C，带 103AT），TS_TH4_TH5_TH6 = 001，101，110 45.6 46.1 46.6 %
占 TS 引脚偏置基准的百分比（47.5°C，带 103AT），TS_TH4_TH5_TH6 = 010，111 42.0 42.5 43.0 %
占 TS 引脚偏置基准的百分比（52.5°C，带 103AT），TS_TH4_TH5_TH6 = 011 38.5 39 39.5 %
VTS_HOT TH6 比较器从 TS_WARM 转换到 TS_HOT 的 TS 引脚下降电压阈值。  低于此电压时暂停充电。 占 TS 引脚偏置基准的百分比（50°C，带 103AT），TS_TH4_TH5_TH6 = 100 或 101 40.7 41.2 41.7 %
占 TS 引脚偏置基准的百分比（60°C，带 103AT），TS_TH4_TH5_TH6 = 000，001，010，011，110 或 111 33.9 34.4 34.9 %
VTS_HOTZ TH6 比较器从 TS_HOT 转换到 TS_WARM 的 TS 引脚上升电压阈值。高于此电压时，TS_WARM 充电设置恢复。 占 TS 引脚偏置基准的百分比（47.5°C，带 103AT），TS_TH4_TH5_TH6 = 100 或 101 42.0 42.5 43.0 %
占 TS 引脚偏置基准的百分比（57.5°C，带 103AT），TS_TH4_TH5_TH6 = 000，001，010，011，110 或 111 35.2 35.7 36.2 %
热敏电阻比较器（OTG 模式）
VTS_OTG_COLD 从 TS_OTG_NORMAL 转换到 TS_OTG_COLD 的 TS 引脚上升电压阈值。高于此电压时，OTG 暂停。 占 TS 引脚偏置基准的百分比（–20°C，带 103AT），TS_TH_OTG_COLD = 0 79.5 80.0 80.5 %
占 TS 引脚偏置基准的百分比（–10°C，带 103AT），TS_TH_OTG_COLD = 1 76.6 77.1 77.6 %
VTS_OTG_COLDZ 从 TS_OTG_COLD 转换到 TS_OTG_NORMAL 的 TS 引脚下降电压阈值。  低于此电压时，OTG 恢复。 占 TS 引脚偏置基准的百分比（–15°C，带 103AT），TS_TH_OTG_COLD = 0 78.2 78.7 79.2 %
占 TS 引脚偏置基准的百分比（–5°C，带 103AT），TS_TH_OTG_COLD = 1 75.0 75.5 76.5 %
VTS_OTG_HOT 从 TS_OTG_NORMAL 转换到 TS_OTG_HOT 的 TS 引脚下降电压阈值。低于此电压时，OTG 暂停。 占 TS 引脚偏置基准的百分比（55°C，带 103AT），TS_OTG_HOT = 00 37.2 37.7 38.2 %
占 TS 引脚偏置基准的百分比（60°C，带 103AT），TS_OTG_HOT = 01 33.9 34.4 34.9 %
占 TS 引脚偏置基准的百分比（65°C，带 103AT），TS_OTG_HOT = 10 30.8 31.3 31.8 %
VTS_OTG_HOTZ 从 TS_OTG_HOT 转换到 TS_OTG_NORMAL 的 TS 引脚上升电压阈值。  高于此阈值，OTG 恢复。 占 TS 引脚偏置基准的百分比（52.5°C，带 103AT），TS_OTG_HOT = 00 38.5 39.0 39.5 %
占 TS 引脚偏置基准的百分比（57.5°C，带 103AT），TS_OTG_HOT = 01 35.2 35.7 36.2 %
占 TS 引脚偏置基准的百分比（62.5°C，带 103AT），TS_OTG_HOT = 10 32.0 32.5 33.0 %
开关转换器
FSW PWM 开关频率 振荡器频率 1.35 1.5 1.65 MHz
MOSFET 导通电阻
RQ1_ON VBUS 至 PMID 导通电阻 Tj = –40°C-85°C 26 34 mΩ
RQ2_ON PMID 和 SW 之间的降压高侧开关 MOSFET 导通电阻 Tj = –40°C-85°C 55 78 mΩ
RQ3_ON SW 和 PGND 之间的降压低侧开关 MOSFET 导通电阻 Tj = –40°C-85°C 60 90 mΩ
OTG 模式转换器
VOTG_RANGE 典型 OTG 模式电压调节范围 3.8 9.6 V
VOTG_STEP 典型 OTG 模式电压调节步长 80 mV
VOTG_ACC OTG 模式电压调节精度 IVBUS = 0A，VOTG = 9V -2 2 %
VOTG_ACC OTG 模式电压调节精度 IVBUS = 0A，VOTG = 5V -3 3 %
IOTG_RANGE 典型 OTG 模式电流调节范围 0.1 2.4 A
IOTG_STEP 典型 OTG 模式电流调节步长 20 mA
IOTG_ACC OTG 模式电流调节精度 IOTG = 1.8A -3 3 %
IOTG = 1.5A -5 5 %
IOTG = 0.5A -10 10 %
VOTG_UVP PMID 处的 OTG 模式欠压下降阈值 3.4 V
VOTG_VBUS_OVP VBUS 处的 OTG 模式过压上升阈值 10.5 11.0 11.5 V
REGN LDO
VREGN REGN LDO 输出电压 VVBUS = 5V，IREGN = 20mA 4.4 4.6 V
VVBUS = 9V，IREGN = 20mA 4.8 5.0 5.2 V
VREGNZ_OK REGN 不正常下降阈值 转换器开关 3.2 V
转换器不进行开关 2.3 V
IREGN_LIM REGN LDO 电流限制 VVBUS = 5V，VREGN = 4.3V 20 mA
ITS_BIAS_FAULT 从 TSBIAS 正常状态转换到故障状态的上升阈值 REGN=5V；ISINK 施加在 TS_BIAS 引脚上 2.5 4.5 8 mA
ITS_BIAS_FAULTZ 从 TSBIAS 故障状态转换为正常状态的下降阈值 REGN=5V；ISINK 施加在 TS_BIAS 引脚上 2 3.85 7 mA
ADC 测量精度和性能
tADC_CONV 转换时间，每次测量 ADC_SAMPLE = 00 24 ms
ADC_SAMPLE = 01 12 ms
ADC_SAMPLE = 10 6 ms
ADC_SAMPLE = 11 3 ms
ADCRES 有效分辨率 ADC_SAMPLE = 00 11 12 位
ADC_SAMPLE = 01 10 11 位
ADC_SAMPLE = 10 9 10 位
ADC_SAMPLE = 11 8 9 位
ADC 测量范围和 LSB
IBUS_ADC ADC 总线电流读数（正向和 OTG） 范围 -4 4 A
LSB 2 mA
VBUS_ADC ADC VBUS 电压读数 范围 0 18.00 V
LSB 3.97 mV
VPMID_ADC ADC PMID 电压读数 范围 0 18.00 V
LSB 3.97 mV
VBAT_ADC ADC BAT 电压读数 范围 0 5.572 V
LSB 1.99 mV
VSYS_ADC ADC SYS 电压读数 范围 0 5.572 V
LSB 1.99 mV
IBAT_ADC ADC BAT 电流读数 范围 -7.5 4.0 A
LSB 4 mA
TS_ADC ADC TS 电压读数 范围以 REGN 的百分比表示（对于 103AT 为 –40℃ 至 85℃） 20.9 83.2 %
ADC TS 电压读数 LSB 0.0961 %
TDIE_ADC ADC 内核温度读数 范围 -40 140 °C
LSB 0.5 °C
I2C 接口（SCL、SDA）
VIH 输入高阈值电平，SDA 和 SCL 0.78 V
VIL 输入低阈值电平，SDA 和 SCL 0.42 V
VOL_SDA 输出低阈值电平 灌电流 = 5mA，1.2V VDD 0.3 V
IBIAS 高电平漏电流 上拉电源轨 1.8V 1 µA
CBUS 每个总线的容性负载 400 pF
逻辑输出引脚（INT、PG、STAT）
VOL 输出低阈值电平 灌电流 = 5mA 0.3 V
IOUT_BIAS 高电平漏电流 上拉电源轨 1.8V 1 µA
逻辑输入引脚（CE、QON）
VIH_CE 输入高阈值电平，/CE 0.78 V
VIL_CE 输入低阈值电平，/CE 0.4 V
IIN_BIAS_CE 高电平漏电流，/CE 上拉电源轨 1.8V 1 µA
VIH_QON 输入高阈值电平，/QON 1.3 V
VIL_QON 输入低阈值电平，/QON 0.4 V
VQON 内部 /QON 上拉 在内部上拉 /QON 5 V
RQON 内部 /QON 上拉电阻 250 kΩ