ZHCSTP3 October 2023 BQ25176J
PRODUCTION DATA
引脚 | I/O | 说明 | |
---|---|---|---|
名称 | 编号 | ||
IN | 1 | P | 输入电源,连接至外部直流电源。在靠近 IC 的位置使用至少 1μF 的电容器将 IN 旁路至 GND。 |
ISET | 2 | I | 对器件快速充电电流进行编程。ISET 与 GND 之间的外部电阻器定义了快速充电电流值。预期范围为 30kΩ (10mA) 至 375Ω (800mA)。ICHG = KISET/RISET。预充电电流定义为 ICHG 的 20%。终止电流定义为 ICHG 的 10%。 |
TS |
3 |
I |
温度鉴定电压输入。直接在 TS 和 GND 之间连接一个负温度系数 (NTC) 热敏电阻(建议使用 AT103-2)。当 TS 引脚电压超出范围时,充电暂停。如果不需要 TS 功能,请在该引脚和 GND 之间连接一个外部 10kΩ 电阻器。将 TS 拉至< VTS_ENZ 将禁用充电器。 |
GND | 4 | - | 接地引脚 |
STAT | 5 | O | 开漏充电器状态指示输出。通过 10kΩ 电阻器连接到上拉电源轨。 低电平表示正在充电。高电平表示充电完成或充电被禁用。当检测到故障情况时,STAT 引脚以 1Hz 的频率闪烁。 |
PG | 6 | O | 开漏充电电源正常状态输出。通过 10kΩ 电阻器连接到上拉电源轨。 当 VIN > VIN_LOWV 且 VOUT + VSLEEPZ < VIN < VIN_OV 时,PG 拉至低电平。 |
VSET | 7 | I | 使用下拉电阻器对 OUT 引脚的稳压电压进行编程。有效电阻器范围为 18.2kΩ 至 100kΩ,超出该范围的值将暂停充电。有关电压电平详细信息,请参阅节 7.3.1.2。建议使用温度系数小于 200ppm/ºC 且容差为 ±1% 的电阻器。 |
OUT | 8 | P | 电池连接。系统负载可以与电池并联。在靠近 IC 的位置使用至少 1μF 的电容器将 OUT 旁路至 GND。 |
散热焊盘 | — | — | IC 下方的外露焊盘用于散热。将散热焊盘焊接到电路板上并使用通孔连接到实心 GND 平面。 |