UCC27710
- 高侧和低侧配置
- 双输入，带输出互锁和 150ns 死区时间
- 在高达 620V 的电压下完全可正常工作，HB 引脚上的绝对最高电压为 700V
- VDD 建议范围为 10V 至 20V
- 峰值输出电流 0.5A 拉电流、1.0A 灌电流
- 50V/ns 的 dv/dt 抗扰度
- HS 引脚上的逻辑运行电压高达 –11V
- 输入负电压容差为 –5V
- 大型负瞬态安全工作区
- 为两个通道提供 UVLO 保护
- 短传播延迟（典型值 140ns）
- 延迟匹配（典型值 8ns）
- 设计用于自举操作的悬空通道
- 低静态电流
- TTL 和 CMOS 兼容输入
- 行业标准 SOIC-8 封装
- 所有参数额定温度范围：–40°C 至 +125°C
UCC27710 是一款 620V 高侧和低侧栅极驱动器，具有 0.5A 拉电流、1.0A 灌电流能力，专用于驱动功率 MOSFET 或 IGBT。
对于 IGBT，建议的 VDD 工作电压为 10V 至 20V，对于 MOSFET，建议的 VDD 工作电压为 17V。
UCC27710 包含保护 特性， 在此情况下，当输入保持开路状态时，或当未满足最低输入脉宽规范时，输出保持低位。互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外，该器件可接受的偏置电源范围宽幅达 10V 至 20V，并且为 VDD 和 HB 偏置电源提供了 UVLO 保护。
该器件采用 TI 先进的高压器件技术， 具有 强大的驱动器，拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度，包括较大的输入负电压容差、高 dV/dt 容差、开关节点上较宽的负瞬态安全工作区 (NTSOA)，以及互锁。
该器件包含一个接地基准通道 (LO) 和一个悬空通道 (HO)，后者专用于自举电源或隔离式电源操作。该器件 具有 快速传播延迟特性并可在两个通道之间实现卓越的延迟匹配。在 UCC27710 上，每个通道均由其各自的输入引脚 HI 和 LI 控制。
技术文档
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设计与开发
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评估板
UCC27710EVM-005 — 620V、0.5A、1.0A UCC27710 高侧低侧栅极驱动器评估模块
UCC27710EVM-005 适用于评估 UCC27710D，后者是一种具备强大峰值拉电流和灌电流能力的 620V 半桥栅极驱动器。此 EVM 可用于参照驱动器 IC 的数据表对其进行评估。该 EVM 还可用作驱动器 IC 组件选择指南。该 EVM 可用于确定 PCB 布局对栅极驱动器性能的影响。
用户指南:
PDF
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
订购和质量
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