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UCC27201

正在供货

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 120V、3A 半桥栅极驱动器

产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 7 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -18 Features Integrated bootstrap diode, Negative Voltage Handling on Input Driver configuration Noninverting
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SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm) HSOIC (DDA) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm) VSON (DRM) 8 16 mm² (4 mm × 4 mm)
  • 可驱动两个采用高侧和低侧配置的 N 沟道 MOSFET
  • HS 引脚具备负电压处理能力 (–5V)
  • 最大启动电压为 120V
  • 最大 VDD 电压为 20V
  • 片上 0.65V V F、0.65Ω RD 自举二极管
  • 22ns 传播延迟时间
  • 3A 灌电流,3A 拉电流输出
  • 1000pF 负载时上升时间为 8ns,下降时间为 7ns
  • 1ns 延迟匹配
  • 用于高侧和低侧驱动器的欠压锁定功能
  • 额定温度范围为 –40°C 至 150°C
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  • 1000pF 负载时上升时间为 8ns,下降时间为 7ns
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  • 用于高侧和低侧驱动器的欠压锁定功能
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UCC2720x 系列高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成,其中高侧/低侧驱动器配有独立输入,可更大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了 1ns 的延迟匹配。

由于在芯片上集成了一个自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,如果驱动电压低于规定的阈值,则强制将输出置为低电平。

UCC2720x 提供了两种版本。UCC27200 具有高抗扰度 CMOS 输入阈值,而 UCC27201 具有兼容 TTL 的阈值。

UCC2720x 系列高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成,其中高侧/低侧驱动器配有独立输入,可更大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了 1ns 的延迟匹配。

由于在芯片上集成了一个自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,如果驱动电压低于规定的阈值,则强制将输出置为低电平。

UCC2720x 提供了两种版本。UCC27200 具有高抗扰度 CMOS 输入阈值,而 UCC27201 具有兼容 TTL 的阈值。

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设计与开发

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用户指南: PDF
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有库存
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
HSOIC (DDA) 8 Ultra Librarian
VSON (DRM) 8 Ultra Librarian

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