驱动程序或库
UCC21520-Q1-DESIGN — UCC21520-Q1 design resources
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支持的产品和硬件
产品
隔离式栅极驱动器
- UCC21520-Q1 — 具有双输入、禁用引脚、死区时间的汽车级 4A、6A、5.7kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器
- UCC21530-Q1 — 适用于 IGBT/SiC 且具有 EN 和 DT 引脚的汽车级 4A/6A 5.7kVRMS 双通道隔离式栅极驱动器
可提供此产品的更新版本
功能与比较器件相同，且具有相同引脚
UCC21530-Q1
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
- 器件温度 1 级
- 功能安全质量管理型
- 通用：双通道低侧、双通道高侧或半桥驱动器
- 宽体 SOIC-14 (DWK) 封装
- 驱动器通道之间具有 3.3mm 的间距
- 开关参数：
- 33ns 典型传播延迟
- 20ns 最小脉冲宽度
- 6ns 最大脉宽失真
- 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
- 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
- TTL 和 CMOS 兼容输入
- 输入 VCCI 范围为 3V 至 18V
- 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
- 8V、12V 和 17V VDD UVLO 选项
- 可编程的重叠和死区时间
- 结温范围：–40°C 至 +150°C
UCC21530-Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器可用于驱动高达 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET。
输入侧通过一个 5.7kVRMS 增强型隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V 的工作电压。
该器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉至低电平时会同时关闭两个输出，悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。
该器件接受的 VDD 电源电压高达 25V。凭借 3V 至 18V 宽输入 VCCI 电压范围，该驱动器适用于连接模拟和数字控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。
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技术文档
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查看全部 13 | 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | UCC21530-Q1 具有 3.3mm 通道到通道间距的 4A、6A、5.7kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器 数据表 (Rev. F) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.F) | PDF | HTML | 2024年 12月 18日 |
| 证书 | VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. Z) | 2026年 1月 8日 | ||||
| 证书 | UL Certification E181974 Vol 4. Sec 7 (Rev. D) | 2025年 9月 8日 | ||||
| 白皮书 | 신뢰할 수 있는 합리적 가격대의 절연 기술 개발과 관련한 고전압 설계 문제의 해결 (Rev. C) | PDF | HTML | 2024年 5月 16日 | |||
| 白皮书 | 以可靠且經濟實惠的隔離技術解決高電壓設計挑戰 (Rev. C) | PDF | HTML | 2024年 3月 7日 | |||
| 白皮书 | 利用可靠且性价比高的隔离技术应对高电压设计挑战。 (Rev. C) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2024年 2月 22日 | |
| 应用手册 | 栅极驱动器电路中窄脉冲宽度的影响 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2024年 1月 26日 | |
| 证书 | UCC21540 CQC Certificate of Product Certification | 2023年 8月 17日 | ||||
| 证书 | UCC215xx CQC Certificate of Product Certification | 2023年 8月 17日 | ||||
| 应用手册 | OBC DC/DC SiC MOSFET驱动选型及供电设计要点 | 2023年 1月 13日 | ||||
| 应用简报 | 栅极驱动电路中铁氧体磁珠的使用和优势 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2022年 11月 14日 | |
| 证书 | CSA Product Certificate (Rev. A) | 2019年 8月 15日 | ||||
| 技术文章 | Searching for the newest innovations in power? Find them at APEC | PDF | HTML | 2019年 2月 9日 |
设计和开发
如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。
评估板
UCC21530EVM-286 — UCC21530 隔离式双通道驱动器评估模块
UCC21530EVM-286 适用于评估 UCC21530DWK，后者是一种可实现 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流、12V UVLO、使能（高电平有效）功能和 3.3mm 通道间爬电距离的隔离式双通道栅极驱动器。此 EVM 可用作在电源系统中驱动 IGBT 和 SiC MOSFET 的参考设计。
驱动程序或库
UCC21530-Q1-DESIGN — UCC21530-Q1 design resources
FS documents
支持的产品和硬件
原理图
Application Guide: Dual-Channel Schematic and Layout Design Guidelines (Rev. A)
SZZM003A.ZIP (1317 KB)
模拟工具
PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI 设计和仿真工具
PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。
借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。
在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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参考设计
TIDM-02002 — 针对 HEV/EV 车载充电器的双向 CLLLC 谐振、双有源电桥 (DAB) 参考设计
具有双向功率流功能和软开关特性的 CLLLC 谐振 DAB 是混合动力电动汽车/电动汽车 (HEV/EV) 车载充电器和能量存储应用的理想候选器件。此设计演示了在闭合电压和闭合电流环路模式中使用 C2000™ MCU 控制此电源拓扑。供该设计使用的硬件和软件可帮助缩短产品
上市时间。
上市时间。
参考设计
TIDM-02012 — MathWorks® 高压 HEV/EV HVAC 电动压缩机电机控制参考设计
TIDM-02012 是一种高压 5kW 参考设计，专为由中等性能 C2000™ TMS320F28003x 实时 MCU 控制的混合动力汽车/电动汽车压缩机 (eCompressor) 应用而构建。它旨在评估 400V 和 800V 直流母线，迎合更高电池电压的市场趋势。 基于 controlCARD 的设计使用户能够评估多个 MCU 和栅极驱动器选项，并可进行扩展以支持 C2000™ 产品系列中的其他器件，包括未来规划的器件，从而满足不断增长的网络安全、功能安全和其他汽车市场需求。
基于 MathWorks (...)
设计指南: PDF
参考设计
TIDM-02009 — 经过 ASIL D 等级功能安全认证的高速牵引和双向直流/直流转换参考设计
此参考设计演示了如何通过一个 TMS320F28388D 实时 C2000™ MCU 控制 HEV/EV 牵引逆变器和双向直流/直流转换器。牵引控制利用基于软件的旋转变压器数字转换器 (RDC)，使电机转速高达 20,000RPM。直流/直流转换器结合了峰值电流模式控制 (PCMC) 技术、相移全桥 (PSFB) 拓扑以及同步整流 (SR) 机制。牵引逆变器级采用碳化硅 (SiC) 功率级，由 UCC5870-Q1 智能栅极驱动器驱动。利用比较器子系统 (CMPSS) 中先进的 PWM 模块和内置斜坡补偿功能，可生成 PCMC 波形。该系统基于 ASIL 分解的功能安全概念已通过 TÜV (...)
参考设计
TIDA-01605 — 具有两级关断保护功能的汽车级双通道 SiC MOSFET 栅极驱动器参考设计
此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。该设计包括两个推挽式偏置电源，分别用于双通道隔离式栅极驱动器，其中每个电源提供 +15V 和 -4V 输出电压以及 1W 输出功率。栅极驱动器能够提供 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。它实现了增强型隔离，可承受 8kV 峰值隔离电压和 5.7kV RMS 隔离电压，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns。该参考设计还包含两级关断电路，其可在短路情况下保护 MOSFET 免受电压过冲的影响。DESAT 检测阈值和第二级关断的延迟时间可以配置。部署 ISO7721-Q1 (...)
参考设计
PMP21999 — 具有 PCB 绕组变压器的 6.6kW、双向 CLLLC 谐振转换器参考设计
此 6.6kW、双向、双有源电桥谐振转换器参考设计支持 380VDC 至 600VDC 输出和 280VDC 至 450VDC 输出。本设计采用了 PCB 绕组变压器和 Rogowski 线圈同步整流器 (SR) 控制，实现了对功率密度和效率的优化。本设计实现了一个子卡方法，包括 C2000™ 控制器 (TMDSCNCD280049C)、SiC 驱动器（PMP22001 和 PMP22002）和偏置电源 (PMP22003)。此设计拥有 500kHz 谐振频率和 300kHz 至 700kHz 操作频率，峰值效率可达到 98%。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOIC (DWK) | 14 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息：
- 制造厂地点
- 封装厂地点
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。