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ISO7831

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High voltage, reinforced 3-channel, 2/1, digital isolator with 2000VRMS VIOWM and 14.5mm creepage

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产品详情

Rating Catalog Integrated isolated power No Number of channels 3 Forward/reverse channels 2 forward / 1 reverse Data rate (max) (Mbps) 100 Protocols GPIO, General purpose, PWM, UART Propagation delay time (typ) (ns) 11 Propagation delay time (max) (ns) 16 Part-to-part output skew (max) (ns) 4.5 Channel-to-channel output skew (max) (ns) 2.5 Certifications CQC, CSA, DIN, TUV, UL Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Surge isolation voltage (VIOSM) (kVPK) 12.8 CMTI (min) (kV/µs) 85 Default output High, Low Creepage (min) (mm) 8, 14.5 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1.03 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.67 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Clearance (min) (mm) 8, 14.5
Rating Catalog Integrated isolated power No Number of channels 3 Forward/reverse channels 2 forward / 1 reverse Data rate (max) (Mbps) 100 Protocols GPIO, General purpose, PWM, UART Propagation delay time (typ) (ns) 11 Propagation delay time (max) (ns) 16 Part-to-part output skew (max) (ns) 4.5 Channel-to-channel output skew (max) (ns) 2.5 Certifications CQC, CSA, DIN, TUV, UL Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Surge isolation voltage (VIOSM) (kVPK) 12.8 CMTI (min) (kV/µs) 85 Default output High, Low Creepage (min) (mm) 8, 14.5 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1.03 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.67 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Clearance (min) (mm) 8, 14.5
SOIC (DW) 16 106.09 mm² (10.3 mm × 10.3 mm) SOIC (DWW) 16 177.675 mm² (10.3 mm × 17.25 mm)
  • 信令速率：最高 100Mbps
  • 宽电源电压范围：2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 电平转换
  • 宽温度范围：-55°C 至 125°C
  • 低功耗，每通道电流典型值为 1.7mA（1Mbps 时）
  • 低传播延迟：典型值为 11ns（5V 电源）
  • 出色的 CMTI（最小值）：±100kV/µs
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
  • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
  • 低辐射
  • 隔离栅寿命：> 40 年
  • SOIC-16 宽体 (DW) 和超宽体 (DWW) 封装选项
  • 安全相关认证：
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 的 8000VPK 增强型隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离

    • IEC 61010-1、IEC 62368-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 认证
  • 信令速率：最高 100Mbps
  • 宽电源电压范围：2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 电平转换
  • 宽温度范围：-55°C 至 125°C
  • 低功耗，每通道电流典型值为 1.7mA（1Mbps 时）
  • 低传播延迟：典型值为 11ns（5V 电源）
  • 出色的 CMTI（最小值）：±100kV/µs
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
  • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
  • 低辐射
  • 隔离栅寿命：> 40 年
  • SOIC-16 宽体 (DW) 和超宽体 (DWW) 封装选项
  • 安全相关认证：
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 的 8000VPK 增强型隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离

    • IEC 61010-1、IEC 62368-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 认证

ISO7831x 器件是一款高性能三通道数字隔离器，隔离电压为 8,000VPK。该器件已通过符合 VDE、CSA、TUV 和 CQC 标准的增强型隔离认证。在隔离 CMOS 或者 LVCMOS 数字 I/O 时，该隔离器可提供高电磁抗扰度和低辐射，且具有低功耗特性。

每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。该器件配有使能引脚，可用于将各自输出置于高阻态以适用于多主驱动应用中，并降低功耗。ISO7831x 器件具有两条正向通道和一条反向通道。如果出现输入功率或信号丢失，ISO7831 器件默认输出 高电平，，ISO7831F 器件默认输出 低电平。有关更多详细信息，请参阅 。

与隔离式电源结合使用时，该器件有助于防止数据总线或者其他电路中的噪声电流进入本地接地端，进而干扰或损坏敏感电路。凭借出色的芯片设计和布局技术，ISO7831x 的电磁兼容性得到了显著增强，可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。ISO7831x 可采用 16 引脚 SOIC 宽体 (DW) 和超宽体 (DWW) 封装。

ISO7831x 器件是一款高性能三通道数字隔离器，隔离电压为 8,000VPK。该器件已通过符合 VDE、CSA、TUV 和 CQC 标准的增强型隔离认证。在隔离 CMOS 或者 LVCMOS 数字 I/O 时，该隔离器可提供高电磁抗扰度和低辐射，且具有低功耗特性。

每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。该器件配有使能引脚，可用于将各自输出置于高阻态以适用于多主驱动应用中，并降低功耗。ISO7831x 器件具有两条正向通道和一条反向通道。如果出现输入功率或信号丢失，ISO7831 器件默认输出 高电平，，ISO7831F 器件默认输出 低电平。有关更多详细信息，请参阅 。

与隔离式电源结合使用时，该器件有助于防止数据总线或者其他电路中的噪声电流进入本地接地端，进而干扰或损坏敏感电路。凭借出色的芯片设计和布局技术，ISO7831x 的电磁兼容性得到了显著增强，可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。ISO7831x 可采用 16 引脚 SOIC 宽体 (DW) 和超宽体 (DWW) 封装。
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设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

DIGI-ISO-EVM — 通用数字隔离器评估模块

DIGI-ISO-EVM 是一个评估模块 (EVM)，用于评估 TI 采用以下五种不同封装的任何单通道、双通道、三通道、四通道或六通道数字隔离器器件：8 引脚窄体 SOIC (D)、8 引脚宽体 SOIC (DWV)、16 引脚宽体 SOIC (DW)、16 引脚超宽体 SOIC (DWW) 和 16 引脚 QSOP (DBQ) 封装。此 EVM 具有足够的 Berg 引脚选项，支持使用超少的外部元件来评估相应器件。

用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
有库存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
评估板

ISO7842-EVM — 高抗扰度 5.7kVRMS 增强型四通道 2/2 数字隔离器评估模块

ISO7842 提供符合 UL 标准、持续时间长达 1 分钟的 5,700VRMS 电隔离，以及符合 VDE 标准的 8,000VPK 电隔离。这些器件具有四个由逻辑输入和输出缓冲器组成的隔离通道，并由二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅进行隔离。与隔离式电源一起使用，此器件可防止数据总线或者其他电路上的噪音电流进入本地接地并干扰和损坏敏感电路。

ISO7842-EVM 可帮助设计人员评估器件性能，支持隔离式系统的快速开发和分析。此 EVM 支持评估采用 16 引脚 SOIC 封装的任何 TI 四通道数字隔离器。

用户指南: PDF
支持的产品和硬件
有库存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
子卡

LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70mΩ GaN 半桥子卡

LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分线板，可将 LMG3410-HB-EVM 等任何 LMG34XX 半桥板配置为同步降压转换器。 通过提供功率级、偏置电源和逻辑电路，该 EVM 可用于快速测量 GaN 器件的开关速度。 该 EVM 能够在提供充分热管理（强制通风、低频运行等）的同时提供高达 8A 的输出电流，从而确保不超出最大工作温度。 该 EVM 不适合用于瞬态测量，因为该板是开环板。
仅需要一个脉宽调制输入，即可在电路板上生成互补的脉宽调制信号和相应的死区时间。 提供了探测点，从而可使用具有短接地弹簧的示波器探针测量关键逻辑和功率级波形。
 
LMG3410-HB-EVM (...)
用户指南: PDF
支持的产品和硬件
有库存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
仿真模型

ISO7831 IBIS Model (Rev. B)

SLLM286B.ZIP (104 KB) - IBIS 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

ISO7831F IBIS Model

SLLM288.IBS (243 KB) - IBIS 模型
支持的产品和硬件
参考设计

PMP20873 — 效率高达 99% 且基于 GaN 的 1kW CCM 图腾柱功率因数校正 (PFC) 转换器参考设计

连续导通模式 (CCM) 图腾柱功率因数校正 (PFC) 是一款简单高效的电源转换器。  为了实现 99% 的效率，需要考虑许多设计细节。  PMP20873 参考设计采用 TI 的 600V GaN 功率级，LMG3410 和 TI 的 UCD3138 数字控制器。  设计概述详细介绍了连续导通模式 (CCM) 图腾柱拓扑的工作原理，给出了电路的详细设计考虑考量因素，并提供了磁性元件和固件控制方面的设计考虑因素。此转换器设计的工作频率为 100KHz。在交流线路过零处软启动可最大限度地减小电流尖峰并降低 THD。  PFC 固件实时测量交流电流和 PFC (...)
支持的产品和硬件
参考设计

TIDM-02008 — 采用 C2000™ MCU 的双向高密度 GaN CCM 图腾柱 PFC

此参考设计为 3kW 双向交错式连续导通模式 (CCM) 图腾柱 (TTPL) 无桥功率因数校正 (PFC) 功率级，采用 C2000™ 实时控制器和具有集成驱动器和保护功能的 LMG3410R070 氮化镓 (GaN)。  此电源拓扑支持双向潮流（PFC 和并网逆变器）且使用 LMG341x GaN 器件，可提高效率并减小电源尺寸。该设计可利用切相和自适应死区时间来提高效率，通过输入电容补偿方案提高轻负载下的功率因数，并借助非线性电压环降低 PFC 模式下的瞬态电压尖峰。此参考设计中的硬件和软件可帮助您缩短产品上市时间。

 

支持的产品和硬件
参考设计

TIDM-1007 — 高效率 GaN CCM 图腾柱无桥功率因数校正 (PFC) 参考设计

交错式连续导通模式 (CCM) 图腾柱 (TTPL) 无桥功率因数校正 (PFC) 采用高带隙 GaN 器件，由于具有电源效率高和尺寸小的特点，因此是极具吸引力的电源拓扑。此设计说明了使用 C2000™ MCU 和 LMG3410 GaN FET 模块来控制此功率级的方法。采用自适应死区时间与切相方法提升效率。  非线性电压补偿器旨在减少瞬态期间的过冲和下冲。此设计选择基于软件锁相环 (SPLL) 的方案来精确地驱动图腾柱电桥。供该设计使用的硬件和软件可帮助您缩短产品上市时间。
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
SOIC (DWW) 16 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

可获得 TI 工程师技术支持的 TI E2E™ 论坛

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