CSD87350Q5D

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采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块

产品详情

VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type Power block Configuration PowerBlock ID - continuous drain current at TA=25°C (A) 40 Power loss (W) 3 Ploss current (A) 25 Features Power supply Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
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LSON-CLIP (DQY) 8 30 mm² (5 mm × 6 mm)
  • 半桥电源块
  • 25A 电流下系统效率达 90%
  • 工作电流高达 40A
  • 高频工作(高达 1.5MHz)
  • 高密度 SON 5mm × 6mm 封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 开关损耗较低
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 无铅引脚镀层
  • 半桥电源块
  • 25A 电流下系统效率达 90%
  • 工作电流高达 40A
  • 高频工作(高达 1.5MHz)
  • 高密度 SON 5mm × 6mm 封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 开关损耗较低
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 无铅引脚镀层

CSD87350Q5D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案,能够以 5mm × 6mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化,可提供一套灵活的解决方案,在与来自外部控制器或驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时,均可提供高密度电源。

CSD87350Q5D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案,能够以 5mm × 6mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化,可提供一套灵活的解决方案,在与来自外部控制器或驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时,均可提供高密度电源。

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设计与开发

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评估板

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The Texas Instruments TPS53819AEVM-123 evaluation module (EVM) helps designers evaluate the performance of the TPS53819A High Performance, Single Synchronous Step-Down Controller with PMBus. If a designer wants to communicate with this EVM from a Windows-based PC, a separate USB Interface Adapter (...)
用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
有库存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
仿真模型

CSD87350Q5D Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM021A.ZIP (4 KB) - PSpice 模型
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支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
LSON-CLIP (DQY) 8 Ultra Librarian

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