CSD25485F5
- 低导通电阻
- 低 Qg 和 Qgd
- 超小尺寸
- 1.53mm × 0.77mm
- 0.50mm 焊盘间距
- 薄型封装
- 厚度为 0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 额定值 > 4kV HBM
- 额定值 > 2kV CDM
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
该 29.7mΩ、-20V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
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设计与开发
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支持软件
LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch
快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| PICOSTAR (YJK) | 3 | Ultra Librarian |
订购和质量
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