CSD25480F3
- 低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 超小尺寸
- 0.73mm × 0.64mm
- 薄型封装
- 最大厚度为 0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
该 -20V、110mΩ P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
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设计与开发
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评估板
CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P 沟道评估模块
此 FemtoFET P 沟道 EVM 包含六个子卡，每个子卡包含一个不同的 FemtoFET P 沟道器件型号。 子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。 六个 FemtoFET 支持 12V 至 20V 的 Vds 范围，而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。
用户指南:
PDF
支持软件
LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch
快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。
参考设计
TIDA-050039 — 用于锂离子电池参考设计的单电池太阳能电板的能量收集
TIDA-050039 参考设计演示了如何将完全集成的同步升压转换器 TPS61089 与单电池太阳能电池板结合使用，为锂离子电池充电。它还采用了最大功率点 (MPP) 采样网络来动态控制输入电压，从而对太阳能电池板的电能传输进行优化。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| PICOSTAR (YJM) | 3 | Ultra Librarian |
订购和质量
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。