CSD25304W1015
- 超低 Qg 和 Qgd
- 小封装尺寸
- 低高度（高度为 0.62mm）
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 芯片级封装 (CSP) 1 x 1.5mm 晶圆级封装
应用范围
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护
这款 27mΩ，20V P 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.0mm × 1.5mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
顶视图 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 器件在 105ºC 温度下运行RθJA 典型值 = 165°C/W，脉宽 ≤100μs，占空比 ≤1%技术文档
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| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | CSD25304W1015 20V P 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2014-9-23 |
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设计与开发
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支持软件
LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch
快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| DSBGA (YZC) | 6 | Ultra Librarian |
订购和质量
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