ZHCSCN1A July 2014 – August 2014 CSD25304W1015
PRODUCTION DATA.
1 特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 小封装尺寸
- 低高度（高度为 0.62mm）
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 芯片级封装 (CSP) 1 x 1.5mm 晶圆级封装
2 应用范围
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护
3 说明
这款 27mΩ，20V P 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.0mm × 1.5mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
顶视图
产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | -20 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 3.3 | nC | |
| Qgd | 栅漏栅极电荷 | 0.5 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = –1.8V | 65 | mΩ |
| VGS = -2.5V | 36 | mΩ | ||
| VGS = -4.5V | 27 | mΩ | ||
| VGS(th) | 电压阀值 | -0.8 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 数量 | 介质 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD25304W1015 | 3000 | 7 英寸卷带 | 1.0mm × 1.5mm 晶圆级封装 | 卷带封装 |
| CSD25304W1015T | 250 | 7 英寸卷带 |
- 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。
最大绝对额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | -20 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±8 | V |
| ID | 持续漏极电流(1) | –3.0 | A |
| IDM | 脉冲漏极电流(2) | –41 | A |
| PD | 功率耗散 | 0.75 | W |
| TJ，
Tstg |
运行结温和 储存温度范围 |
-55 至 150 | °C |
- 器件在 105ºC 温度下运行
- RθJA 典型值 = 165°C/W，脉宽 ≤100μs，占空比 ≤1%
RDS(on) 与 VGS 间的关系 |
栅极电荷 |