CSD23280F3
- 低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 高漏极工作电流
- 超小尺寸
- 0.73mm × 0.64mm
- 超薄型封装
- 最大厚度为 0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 额定值 > 4kV HBM
- 额定值 > 2kV CDM
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
该-12V、97mΩ P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化,能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
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| * | 数据表 | CSD23280F3 -12V P 沟道 FemtoFET MOSFET 数据表 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2022-4-13 |
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| 设计指南 | FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) | 2016-7-7 | ||||
| 技术文章 | FemtoFET MOSFETs: small as sand but it’s all about that pitch | PDF | HTML | 2016-6-27 |
设计与开发
如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。
评估板
CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P 沟道评估模块
此 FemtoFET P 沟道 EVM 包含六个子卡,每个子卡包含一个不同的 FemtoFET P 沟道器件型号。 子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。 六个 FemtoFET 支持 12V 至 20V 的 Vds 范围,而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。
用户指南:
PDF
支持软件
LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch
快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
参考设计
TIDA-01228 — 具有电感式感应功能的低功耗水流测量参考设计
此参考设计展示了适用于此应用的一款高度集成式解决方案,此解决方案采用 CC1350 SimpleLink™ 无线 MCU 和 FemtoFET™ MOSFET 支持的电感式传感技术。此参考设计还为集成无线通信(如无线 M-Bus、Sigfox™ 或专有协议)提供了平台。希望添加自动抄表 (AMR) 功能的水量测量工具供应商面临两个选择,即更换所有的现有计量表,或者安装一个简单的电子附加模块,该模块可准确测量水流流速并以无线方式传输结果。此类附加模块可为消费者提供带有 AMR 功能且经济实惠的解决方案。
参考设计
TIDA-01589 — 具有降噪和回声消除功能的高保真、近场双向音频参考设计
人机交互需要声学接口来提供全双工免提通信。在免提模式下,来自扬声器的远端或近端音频信号的一部分耦合到麦克风。此外,在有噪声的环境中,除了有用的近端音频信号之外,麦克风还会捕获环境噪声。捕获的多麦克风音频信号被声学背景噪声以及回声信号破坏,回声信号会显著降低所需信号的可懂度,并限制后续音频处理系统的性能。该参考设计所展示的双麦克风用于实现通过立体声 ADC 进行音频输入、低功耗 DSP 执行降噪、声学回声消除以及其他音频质量增强算法。该设计还采用了 TI 的智能放大器技术,从而通过微型扬声器实现高质量、高 SPL 的音频输出。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| PICOSTAR (YJM) | 3 | Ultra Librarian |
订购和质量
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。