CSD23203W

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采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19.4mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情

VDS (V) -8 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 19.4 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 26.5 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 4.9 QGD (typ) (nC) 0.6 QGS (typ) (nC) 1.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -8 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 19.4 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 26.5 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 4.9 QGD (typ) (nC) 0.6 QGS (typ) (nC) 1.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZC) 6 2.1875 mm² (— mm × — mm)
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低导通电阻 RDS(on)
  • 小尺寸
  • 低厚度,0.62mm 高
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • CSP 1mm × 1.5mm 晶圆级封装
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低导通电阻 RDS(on)
  • 小尺寸
  • 低厚度,0.62mm 高
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • CSP 1mm × 1.5mm 晶圆级封装

这款 –8V、16.2mΩ、P 通道器件经过设计,能够以具有出色散热特性的 1 × 1.5 mm 超薄小外形封装提供最低的导通电阻和栅极电荷。

这款 –8V、16.2mΩ、P 通道器件经过设计,能够以具有出色散热特性的 1 × 1.5 mm 超薄小外形封装提供最低的导通电阻和栅极电荷。

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技术文档

设计与开发

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支持软件

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
支持的产品和硬件
仿真模型

CSD23203W Unencrypted PSpice Model (Rev. C)

SLPM143C.ZIP (4 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
DSBGA (YZC) 6 Ultra Librarian

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