CSD19506KCS

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采用 TO-220 封装的单通道、2.3mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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VDS (V) 80 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 2.3 VGSTH typ (typ) (V) 2.5 QG (typ) (nC) 120 QGD (typ) (nC) 20 QGS (typ) (nC) 37 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 273 ID - package limited (A) 150 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 175
VDS (V) 80 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 2.3 VGSTH typ (typ) (V) 2.5 QG (typ) (nC) 120 QGD (typ) (nC) 20 QGS (typ) (nC) 37 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 273 ID - package limited (A) 150 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 175
TO-220 (KCS) 3 46.228 mm² (10.16 mm × 4.55 mm)
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS
  • 无卤素
  • TO-220 塑料封装
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS
  • 无卤素
  • TO-220 塑料封装

这款 80V、2.0mΩ、TO-220 NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。

这款 80V、2.0mΩ、TO-220 NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。

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SLPM102B.ZIP (5 KB) - PSpice 模型
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