ZHCSBX3B December 2013 – October 2014 CSD19506KCS
PRODUCTION DATA.
这款 80V,2.0mΩ,TO-220 NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。
TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
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VDS | 漏源电压 | 80 | V | |
Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 120 | nC | |
Qgd | 栅极电荷 栅极到漏极 | 20 | nC | |
RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 6V | 2.2 | mΩ |
VGS = 10V | 2.0 | mΩ | ||
VGS(th) | 阈值电压 | 2.5 | V |
器件 | 封装 | 介质 | 数量 | 出货 |
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CSD19506KCS | TO-220 塑料封装 | 管 | 50 | 管 |
TA = 25°C | 值 | 单位 | |
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VDS | 漏源电压 | 80 | V |
VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
ID | 持续漏极电流(受封装限制) | 150 | A |
持续漏极电流(受芯片限制),TC = 25°C 时测得 | 273 | ||
持续漏极电流(受芯片限制),TC = 100°C 时测得 | 193 | ||
IDM | 脉冲漏极电流 (1) | 400 | A |
PD | 功率耗散 | 375 | W |
TJ, Tstg |
运行结温和 储存温度范围 |
-55 至 175 | °C |
EAS | 雪崩能量,单脉冲 ID = 129A,L = 0.1mH,RG = 25Ω |
832 | mJ |
RDS(on) 与 VGS 间的关系 |
栅极电荷 |