CSD17484F4

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采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、128mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情

VDS (V) 30 VGS (V) 12 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 128 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 160 VGSTH typ (typ) (V) 0.85 QG (typ) (nC) 0.92 QGD (typ) (nC) 0.075 QGS (typ) (nC) 0.28 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3 ID - package limited (A) 3 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
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PICOSTAR (YJJ) 3 0.6 mm² (1 mm × 0.6 mm)
  • 低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低阈值电压
  • 超小封装尺寸(0402 外壳尺寸)
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄型封装
    • 厚度为 0.2mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 4kV HBM
    • 额定值 > 2kV CDM
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS
  • 低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低阈值电压
  • 超小封装尺寸(0402 外壳尺寸)
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    • 厚度为 0.2mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 4kV HBM
    • 额定值 > 2kV CDM
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS

该 99mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化,能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。

该 99mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化,能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。

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MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
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SLPM186.TSC (2233 KB) - TINA-TI 参考设计
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仿真模型

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SLPM187.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice 模型
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SLPM153A.ZIP (3 KB) - PSpice 模型
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FET-SOA-CALC-SELECT — MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
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SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
PICOSTAR (YJJ) 3 Ultra Librarian

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