DRV8300-Q1

활성

부트스트랩 다이오드를 탑재한 오토모티브 100V 최대 간단한 3상 게이트 드라이버

제품 상세 정보

Rating Automotive Architecture Gate driver Control interface 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 0.75 Vs (min) (V) 5 Vs ABS (max) (V) 100 Features Bootstrap Diode Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Automotive Architecture Gate driver Control interface 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 0.75 Vs (min) (V) 5 Vs ABS (max) (V) 100 Features Bootstrap Diode Operating temperature range (°C) -40 to 125
TSSOP (PW) 20 41.6 mm² (6.5 mm × 6.4 mm)
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Temperature grade 1: –40°C ≤ TA ≤ 125°C
  • 100-V Three Phase Half-Bridge Gate driver
    • Drives N-Channel MOSFETs (NMOS)
    • Gate Driver Supply (GVDD): 5-20 V
    • MOSFET supply (SHx) support upto 100 V
  • Integrated Bootstrap Diodes
  • Bootstrap gate drive architecture
    • 750-mA source current
    • 1.5-A sink current
  • Supports up to 48-V auto systems
  • Low leakage current on SHx pins (<55 µA)
  • Absolute maximum BSTx voltage upto 115-V
  • Supports negative transients upto -22-V on SHx
  • Built-in cross conduction prevention
  • Fixed deadtime insertion of 215 ns
  • Supports 3.3-V and 5-V logic inputs with 20 V Abs max
  • 4 nS typical propogation delay matching
  • Compact TSSOP package
  • Efficient system design with Power Blocks
  • Integrated protection features
    • BST undervoltage lockout (BSTUV)
    • GVDD undervoltage (GVDDUV)
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Temperature grade 1: –40°C ≤ TA ≤ 125°C
  • 100-V Three Phase Half-Bridge Gate driver
    • Drives N-Channel MOSFETs (NMOS)
    • Gate Driver Supply (GVDD): 5-20 V
    • MOSFET supply (SHx) support upto 100 V
  • Integrated Bootstrap Diodes
  • Bootstrap gate drive architecture
    • 750-mA source current
    • 1.5-A sink current
  • Supports up to 48-V auto systems
  • Low leakage current on SHx pins (<55 µA)
  • Absolute maximum BSTx voltage upto 115-V
  • Supports negative transients upto -22-V on SHx
  • Built-in cross conduction prevention
  • Fixed deadtime insertion of 215 ns
  • Supports 3.3-V and 5-V logic inputs with 20 V Abs max
  • 4 nS typical propogation delay matching
  • Compact TSSOP package
  • Efficient system design with Power Blocks
  • Integrated protection features
    • BST undervoltage lockout (BSTUV)
    • GVDD undervoltage (GVDDUV)

DRV8300 -Q1 is 100-V three half-bridge gate drivers, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV8300 -Q1 generates the correct gate drive voltages using an integrated bootstrap diode and external capacitor for the high-side MOSFETs. GVDD is used to generate gate drive voltage for the low-side MOSFETs. The Gate Drive architecture supports peak up to 750-mA source and 1.5-A sink currents.

The phase pins SHx is able to tolerate the significant negative voltage transients; while high side gate driver supply BSTx and GHx is able to support to higher positive voltage transients (115-V) abs max voltage which improves robustness of the system. Small propagation delay and delay matching specifications minimize the dead-time requirement which further improves efficiency. Undervoltage protection is provided for both low and high side through GVDD and BST undervoltage lockout.

DRV8300 -Q1 is 100-V three half-bridge gate drivers, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV8300 -Q1 generates the correct gate drive voltages using an integrated bootstrap diode and external capacitor for the high-side MOSFETs. GVDD is used to generate gate drive voltage for the low-side MOSFETs. The Gate Drive architecture supports peak up to 750-mA source and 1.5-A sink currents.

The phase pins SHx is able to tolerate the significant negative voltage transients; while high side gate driver supply BSTx and GHx is able to support to higher positive voltage transients (115-V) abs max voltage which improves robustness of the system. Small propagation delay and delay matching specifications minimize the dead-time requirement which further improves efficiency. Undervoltage protection is provided for both low and high side through GVDD and BST undervoltage lockout.

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DRV8300 활성 부트스트랩 다이오드를 탑재한 최대 100V 단순 3상 게이트 드라이버 Industrial qualified version

기술 자료

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3개 모두 보기
상위 문서 유형 직함 형식 옵션 최신 영어 버전 다운로드 날짜
* 데이터 시트 DRV8300-Q1: 100-V Three-Phase BLDC Gate Driver datasheet PDF | HTML 2021. 12. 8
Application brief Understanding Gate Driver Slew Rate Control, MOSFET Switching Optimization and Protection Features (Rev. A) PDF | HTML 2025. 12. 11
인증서 DRV8300DPW-Q1EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 2021. 12. 8

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

DRV8300DPW-Q1EVM — DRV8300DPW-Q1 3상 BLDC 게이트 드라이버용 평가 모듈

DRV8300DPW-Q1EVM은 BLDC 모터용 DRV8300DPWRQ1 게이트 드라이버를 기반으로 하는 차량용 30A, 3상 브러시리스 DC 드라이브 단계입니다.  

DRV8300DPWRQ1은 외부 다이오드 없이 부트스트랩 작동을 위한 3개의 다이오드를 통합합니다. EVM에는 저압측 전류 측정을 위한 3개의 전류 션트 증폭기와 PVDD/GVDD 전압 및 보드 온도에 대한 피드백이 포함되어 있습니다. 최대 100V를 EVM에 공급할 수 있으며 온보드 벅은 부트스트랩 GVDD 공급에 필요한 12V를 생성합니다. 사용자 피드백을 위해 (...)

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MSP 모터 제어는 MSPM0 Arm® Cortex® M0+ MCU 및 인기 있는 모터 드라이버 솔루션으로 30분 이내에 모터를 구동하는 소프트웨어, 툴 및 예제 모음입니다.

MSP 모터 제어는 성능, 통합 및 사용 편의성에 최적화된 센서드 및 센서리스 제어 알고리즘을 사용하여 브러시드, 스테퍼 및 3상 모터를 구동하는 지원되는 하드웨어 키트에 대한 예제를 제공합니다. 지금 하드웨어를 주문하고, 모터를 연결하고, 당사의 그래픽 사용자 인터페이스나 온라인 코드 예제를 사용하여 모터를 회전시켜 보십시오.

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