DRV8706-Q1
- AEC-Q100 qualified for automotive applications:
- Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA
-
Functional Safety-Capable
- Documentation available to aid functional safety system design
- H-bridge
smart gate driver
- 4.9-V to 37-V (40-V abs. max) operating range
- Doubler charge pump for 100% PWM
- Half-bridge and H-bridge control modes
- Pin to pin gate driver
variants
- DRV8106-Q1: Half-bridge with inline amplifier
- DRV8705-Q1: H-bridge with low-side amplifier
- Smart gate drive architecture
- Adjustable slew rate control
- 0.5-mA to 62-mA peak source current output
- 0.5-mA to 62-mA peak sink current output
- Integrated dead-time handshaking
- Wide common mode
current shunt amplifier
- Supports inline, high-side, or low-side
- Adjustable gain settings (10, 20, 40, 80 V/V)
- Integrated feedback resistors
- Adjustable PWM blanking scheme
- Multiple interface options available
- SPI: Detailed configuration and diagnostics
- H/W: Simplified control and less MCU pins
- Spread spectrum clocking for EMI reduction
- Compact VQFN package with wettable flanks
- Integrated protection features
- Dedicated driver disable pin (DRVOFF)
- Supply and regulator voltage monitors
- MOSFET VDS overcurrent monitors
- MOSFET VGS gate fault monitors
- Charge pump for reverse polarity MOSFET
- Offline open load and short circuit diagnostics
- Device thermal warning and shutdown
- Fault condition interrupt pin (nFAULT)
The DRV8706-Q1 is a highly integrated H-bridge gate driver, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. It generates the proper gate drive voltages using an integrated doubler charge pump for the high-side and a linear regulator for the low-side.
The device uses a smart gate drive architecture to reduce system cost and improve reliability. The gate driver optimizes dead time to avoid shoot-through conditions, provides control to decreasing electromagnetic interference (EMI) through adjustable gate drive current, and protects against drain to source and gate short conditions with VDS and VGS monitors.
A wide common mode shunt amplifier provides inline current sensing to continuously measure motor current even during recirculating windows. The amplifier can be used in low-side or high-side sense configurations if inline sensing is not required.
The DRV8706-Q1 provide an array of protection features to ensure robust system operation. These include under and overvoltage monitors for the power supply and charge pump, VDS overcurrent and VGS gate fault monitors for the external MOSFETs, offline open load and short circuit diagnostics, and internal thermal warning and shutdown protection.
관심 가지실만한 유사 제품
다른 핀 출력을 지원하지만 비교 대상 장치와 동일한 기능.
비교 대상 장치와 유사한 기능.
기술 자료
설계 및 개발
추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.
DRV8706H-Q1EVM — 넓은 공통 모드 전류 센스 증폭기를 지원하는 차량용 하프 브리지 스마트 게이트 드라이버 평가 모듈(EVM)
DRV8706H-Q1EVM은 오토모티브 등급 브러시드 DC 모터 드라이버인 DRV8706H-Q1을 평가하도록 설계되었습니다. DRV8706H-Q1은 고압측 및 저압측 N채널 전원 MOSFET을 구동할 수 있는 고집적 H 브리지 게이트 드라이버입니다. 고압측용 통합 더블러 충전 펌프와 저압측용 선형 레귤레이터를 사용하여 적절한 게이트 드라이브 전압을 생성합니다.
이 장치는 스마트 게이트 드라이브 아키텍처를 사용하여 시스템 비용을 절감하고 안정성을 개선합니다. 게이트 드라이버는 데드 타임을 최적화하여 슛스루 조건을 방지하고, 조정 (...)
DRV8706S-Q1EVM — 차량용 H-브리지 스마트 게이트 드라이버 EVM - 넓은 공통 모드 전류 감지 증폭기 포함
DRV8706S-Q1EVM은 오토모티브 등급 브러시드 DC 모터 드라이버인 DRV8706S-Q1을 평가하도록 설계되었습니다. DRV8706S-Q1은 고압측 및 저압측 N채널 전원 MOSFET을 구동할 수 있는 고집적 H 브리지 게이트 드라이버입니다. 고압측용 통합 더블러 충전 펌프와 저압측용 선형 레귤레이터를 사용하여 적절한 게이트 드라이브 전압을 생성합니다.
이 장치는 스마트 게이트 드라이브 아키텍처를 사용하여 시스템 비용을 절감하고 안정성을 개선합니다. 게이트 드라이버는 데드 타임을 최적화하여 슛스루 조건을 방지하고, 조정 (...)
MSP-MOTOR-CONTROL — MSPM0 Firmware solutions for motor control applications
MSP 모터 제어는 MSPM0 Arm® Cortex® M0+ MCU 및 인기 있는 모터 드라이버 솔루션으로 30분 이내에 모터를 구동하는 소프트웨어, 툴 및 예제 모음입니다.
MSP 모터 제어는 성능, 통합 및 사용 편의성에 최적화된 센서드 및 센서리스 제어 알고리즘을 사용하여 브러시드, 스테퍼 및 3상 모터를 구동하는 지원되는 하드웨어 키트에 대한 예제를 제공합니다. 지금 하드웨어를 주문하고, 모터를 연결하고, 당사의 그래픽 사용자 인터페이스나 온라인 코드 예제를 사용하여 모터를 회전시켜 보십시오.
| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| VQFN (RHB) | 32 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.