封装信息
| 封装 | 引脚 HSOIC (DDA) | 8 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 140 |
| 包装数量 | 包装 2,500 | LARGE T&R |
UCC27212A-Q1 的特性
- 符合汽车应用 要求
- 具有符合 AECA-Q100 标准的下列特性：
- 器件温度等级 –40°C 至 +140°C
- 器件 HBM 分类等级 2
- 器件 CDM 分类等级 C6
- 5V 关断欠压锁定 (UVLO)
- 通过独立输入驱动高侧和低侧配置中的两个 N 沟道 MOSFET
- 最大引导电压 120V 直流
- 4A 拉电流，4A灌电流能力
- 0.9Ω 上拉和下拉电阻
- 输入引脚能够耐受 –10V 至 +20V 的电压，并且与电源电压范围无关
- TTL 兼容输入
- 5V 至 17V VDD 工作范围，（最大绝对值 20V）
- 7.2ns 上升时间和 5.5ns 下降时间（采用 1000pF 负载）
- 快速传播延迟时间（典型值 20ns）
- 4ns 典型延迟匹配
- 采用 SOIC8(Powerpad) 封装
UCC27212A-Q1 的说明
UCC27212A-Q1 驱动器是基于常用的 UCC27211 MOSFET 驱动器设计的。此外，UCC27212A-Q1 具有更宽的工作电压范围，可低至 5V，有助于降低功率损耗。
峰值输出上拉和下拉电流分别为 4A 拉电流和 4A 灌电流，而且上拉和下拉电阻均为 0.9Ω。这使得该器件能够驱动大功率 MOSFET，减少由于 MOSFET 的米勒平台导致的开关损耗。
输入结构可直接处理 -10V 电压，这提高了器件的鲁棒性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器直接连接。此外，输入还独立于电源电压，且具有 20V 的最大额定值。
UCC27212A-Q1 的开关节点（HS 引脚）最高可处理 -18V 电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。UCC27212A-Q1 具有更高的迟滞，因而支持连接至具有增强型抗噪性能的模拟或数字 PWM 控制器。
低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，且彼此的开通和关断时间均为 4ns。
由于使用了一个额定电压为 100V 的片上自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能，可提供对称的开通和关断行为，并且能够在驱动电压低于额定阈值时将输出强拉至低电平。