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产品详细信息

参数

Output options Adjustable Output, Fixed Output Iout (Max) (A) 0.5 Vin (Max) (V) 5.5 Vin (Min) (V) 2.7 Vout (Max) (V) 5.4 Vout (Min) (V) 1.2 Fixed output options (V) 1.6, 1.8, 2.5, 3, 3.3 Noise (uVrms) 33 Iq (Typ) (mA) 0.26 Thermal resistance θJA (°C/W) 48 Approx. price (US$) 0.69 | 1ku Load capacitance (Min) (µF) 1 Rating Catalog Regulated outputs (#) 1 Features Enable Accuracy (%) 2 PSRR @ 100 KHz (dB) 40 Dropout voltage (Vdo) (Typ) (mV) 110 Operating temperature range (C) -40 to 125 open-in-new 查找其它 线性稳压器(LDO)

封装|引脚|尺寸

SOT-223 (DCQ) 6 46 mm² 6.5 x 7.06 VSON (DRB) 8 9 mm² 3.0 x 3.0 open-in-new 查找其它 线性稳压器(LDO)

特性

  • 具有使能端的 500mA 低压降稳压器
  • 提供固定电压和可调节电压(1.2V 至 5.5V)两种版本
  • 高 PSRR(频率为 10kHz 时为 50dB)
  • 超低噪声(33µVRMS,TPS79530)
  • 启动时间快 (50µs)
  • 与 1µF 陶瓷电容器一起工作时保持稳定
  • 出色的负载和线路瞬态响应
  • 低压降电压(满负载时为 110mV,TPS79530)
  • 6 引脚 SOT-223 和 3mm × 3mm VSON 封装

All trademarks are the property of their respective owners.

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描述

TPS795 系列低压降 (LDO) 低功耗线性稳压器 具有 高电源抑制比 (PSRR)、超低噪声、快速启动能力以及出色的线性和负载瞬态响应,并采用小型 6 引脚 SOT-223 和 3mm × 3mm VSON 封装。该系列的每一款器件在输出端都使用小型 1µF 陶瓷电容器实现稳定运行。该系列使用先进的专有 BiCMOS 制造工艺,能够产生极低压降的电压(例如 500mA 时为 110mV)。每一款器件都可实现快速启动时间(使用一个 0.001µF 旁路电容器时大约为 50µs),同时消耗非常低的静态电流(典型值 265µA)。而且,当此器件处于待机模式时,电源电流减少到低于 1µA。在使用一个 0.1µF 旁路电容器的 3V 输出下,TPS79530 器件的输出电压噪声大约为 33µVRMS。采用 对噪声敏感的模拟组件的应用,例如便携式射频电子器件,将受益于高 PSRR 和低噪声 特性以及快速响应时间。

 

 

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技术文档

= 特色
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类型 标题 下载最新的英文版本 发布
* 数据表 TPS795 超低噪声、高 PSRR、快速、射频、500mA、低压降线性稳压器 数据表 (Rev. J) 下载英文版本 (Rev.J) 2019年 7月 30日
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设计与开发

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硬件开发

评估板 下载
document-generic 用户指南
$5.00
说明

The Texas Instruments DEM-SOT223LDO demonstration module (DEM) helps designers evaluate the operation and performance of Texas Instruments low-dropout regulators (LDOs).  This module is compatible with most positive output LDOs offered in the SOT223 (DCQ) package.

评估板 下载
document-generic 用户指南
$20.00
说明
TPS79501DRBEVM 是一块完全组装且经过测试的电路板,用于对采用 DRB (3x3mm SON-8) 封装的 TPS79501 低压降 (LDO) 低功耗线性稳压器进行评估。
特性
  • 具有使能端的 500mA 低压降稳压器
  • 提供固定输出电压和可调节输出电压两种版本(1.2V 至 5.5V)
  • 高 PSRR(频率为 10kHz 时 50dB)
  • 快速启动时间 (50µs)
  • 借助 1µF 陶瓷电容器实现稳定
  • 负载/线路瞬态响应优良
  • 6 引脚 SOT223 和 3×3 SON 封装

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLVM448.ZIP (31 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SLVM575.TSC (618 KB) - TINA-TI Reference Design
仿真模型 下载
SLVM576.ZIP (5 KB) - TINA-TI Spice Model
原理图 下载
SLVR320.PDF (362 KB)
原理图 下载
SLVR321.PDF (358 KB)
原理图 下载
SLVR331B.PDF (381 KB)
原理图 下载
SLVR332A.PDF (302 KB)

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CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
SON (DRB) 8 视图选项
SOT-223 (DCQ) 6 视图选项

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