封装信息
封装 | 引脚 TSSOP (PW) | 16 |
工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
包装数量 | 包装 2,000 | LARGE T&R |
TPL7407LA-Q1 的特性
- 符合汽车类应用的 标准
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:
- 器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
- 600mA 额定漏极电流(每通道)
- 7 通道达林顿晶体管阵列 CMOS 引脚对引脚改善(例如:ULN2003A)
- 能效(极低 VOL)
- 电流为 100mA 时,VOL 低于达林顿晶体管阵列的四分之一
- 输出泄露极低,每通道小于 10nA
- 高压输出 30V
- 与 1.8V 和 5V 微控制器和逻辑接口兼容
- 用于提供电感反冲保护的内部自振荡二极管
- 可借助输入下拉电阻器实现三态输入驱动器
- 用来消除嘈杂环境中的杂散运行的输入 RC 缓冲器
- ESD 保护性能超出 JESD 22 标准
- 2kV HBM,500V CDM
TPL7407LA-Q1 的说明
TPL7407LA-Q1 是一款高压、高电流 NMOS 晶体管阵列。这个器件包含 7 个具有高压输出的 NMOS 晶体管,这些晶体管具有针对开关电感负载的共阴极钳位二极管。单个 NMOS 通道的最大漏极电流额定值为 600mA。器件添加了新的调节和驱动电路,可在全部 GPIO 范围(1.8V 至 5V)提供最大驱动能力。这些晶体管还可以通过采用并联方式来提供更高的电流。
相比双极达林顿晶体管实施,TPL7407LA-Q1 的主要优势在于其具有更高的能效和更低的泄漏。依赖于较低的 VOL,功率耗散比传统继电器驱动器减少一半,每通道的电流低于 250mA。