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霍尔效应电流传感器
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TMCS1123

正在供货

具有 AFR、基准和警报功能的 ±1300V 增强型隔离、80ARMS 250kHz 霍尔效应电流传感器

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数据表

TMCS1123

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产品详情

Continuous current (max) (A) 80 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 600 Sensitivity (typ) (mV/mT) 25, 50, 75, 100, 150 Input offset current (±) (max) (mA) 40, 42, 45, 60 Input offset current drift (±) (typ) (µA/°C) 133, 150, 160, 200 Features Alert Function, Digital output alerts MCU when current limit is reached, Externally Driven Zero Current Reference Voltage, Overcurrent protection Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 3 Iq (max) (mA) 14 Small-signal bandwidth (kHz) 250 Sensitivity error (%) 0.4 Sensitivity error drift (±) (max) (ppm/°C) 50 Propagation delay time (typ) (ns) 130 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Creepage (min) (mm) 8.1 Clearance (min) (mm) 8.1 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000
Continuous current (max) (A) 80 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 600 Sensitivity (typ) (mV/mT) 25, 50, 75, 100, 150 Input offset current (±) (max) (mA) 40, 42, 45, 60 Input offset current drift (±) (typ) (µA/°C) 133, 150, 160, 200 Features Alert Function, Digital output alerts MCU when current limit is reached, Externally Driven Zero Current Reference Voltage, Overcurrent protection Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 3 Iq (max) (mA) 14 Small-signal bandwidth (kHz) 250 Sensitivity error (%) 0.4 Sensitivity error drift (±) (max) (ppm/°C) 50 Propagation delay time (typ) (ns) 130 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Creepage (min) (mm) 8.1 Clearance (min) (mm) 8.1 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000
SOIC (DVG) 10 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 高持续电流能力：80ARMS
  • 可靠的增强型隔离
  • 高精度
    • 灵敏度误差：±0.1%
    • 灵敏度热漂移：±20ppm/°C
    • 灵敏度寿命漂移：±0.2%
    • 失调电压误差：±0.2mV
    • 偏移热漂移：±2µV/°C
    • 偏移寿命漂移：±0.2mV
    • 非线性：±0.1%
  • 对外部磁场具有高抗扰度
  • 精密零电流基准输出
  • 快速响应
    • 信号带宽：250kHz
    • 响应时间：1µs
    • 传播延迟：110ns
    • 过流检测响应：100ns
  • 过流检测 MASK (TMCS1123D71)
  • 工作电源电压范围：3V 至 5.5V
  • 双向和单向电流检测
  • 多个灵敏度选项：
    • 范围为 25mV/A 至 150mV/A
  • 安全相关认证（计划）
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC/CB 62368-1
  • 高持续电流能力：80ARMS
  • 可靠的增强型隔离
  • 高精度
    • 灵敏度误差：±0.1%
    • 灵敏度热漂移：±20ppm/°C
    • 灵敏度寿命漂移：±0.2%
    • 失调电压误差：±0.2mV
    • 偏移热漂移：±2µV/°C
    • 偏移寿命漂移：±0.2mV
    • 非线性：±0.1%
  • 对外部磁场具有高抗扰度
  • 精密零电流基准输出
  • 快速响应
    • 信号带宽：250kHz
    • 响应时间：1µs
    • 传播延迟：110ns
    • 过流检测响应：100ns
  • 过流检测 MASK (TMCS1123D71)
  • 工作电源电压范围：3V 至 5.5V
  • 双向和单向电流检测
  • 多个灵敏度选项：
    • 范围为 25mV/A 至 150mV/A
  • 安全相关认证（计划）
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC/CB 62368-1

TMCS1123 是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于 1.4% 的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于 0.9% 的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。

交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量。无磁芯结构消除了对磁集中器的需求。差分霍尔传感器可抑制外部杂散磁场产生的干扰。低导体电阻将可测量电流范围提高至 ±96A，同时更大程度地降低功率损耗并降低散热要求。绝缘能够承受 5kVRMS，加上最小 8mm 的爬电距离和间隙，可提供高电平的可靠寿命增强型工作电压。集成式屏蔽可提供出色的共模抑制和瞬态抗扰度。

固定的灵敏度允许器件使用单个 3V 至 5.5V 的电源运行，因此消除了比例式误差并提高了电源噪声抑制能力。

TMCS1123 是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于 1.4% 的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于 0.9% 的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。

交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量。无磁芯结构消除了对磁集中器的需求。差分霍尔传感器可抑制外部杂散磁场产生的干扰。低导体电阻将可测量电流范围提高至 ±96A，同时更大程度地降低功率损耗并降低散热要求。绝缘能够承受 5kVRMS，加上最小 8mm 的爬电距离和间隙，可提供高电平的可靠寿命增强型工作电压。集成式屏蔽可提供出色的共模抑制和瞬态抗扰度。

固定的灵敏度允许器件使用单个 3V 至 5.5V 的电源运行，因此消除了比例式误差并提高了电源噪声抑制能力。
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技术文档

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应用简报 低漂移、高精度、直插式隔离磁性电机电流测量 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) 2023年 7月 31日
产品概述 使用隔离式磁性霍尔效应电流传感器进行电流检测 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 7月 25日
证书 TMCS1123BEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 6月 14日
证书 TMCS1123CEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 6月 14日
证书 TMCS1123AEVM EU Declaration of Conformity (DoC) (Rev. A) 2023年 6月 13日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

TMCS-A-ADAPTER-EVM — 适用于 DVG、DVF 或 DZP 封装的 TMCS 隔离式霍尔效应电流传感器适配器卡（不包括 IC）

TMCS-A-ADAPTER-EVM 评估模块 (EVM) 旨在促进快速、方便地使用具有 DVG、DVF 或 DZP 封装的 TMCS 隔离式霍尔效应精密电流检测监控器。此 EVM 支持用户通过霍尔输入侧推送高达 90A 的电流，同时通过隔离栅测量隔离式输出。TMCS-A-ADAPTER-EVM 只有一个未组装的 PCB，预留了用于组装测试点的位置和用于器件评估的分线接头引脚。PCB 焊盘采用重叠结构，因此任何 DVG、DVF 或 DZP TMCS 器件都能与 TMCS-A-ADAPTER-EVM 配合使用。

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评估板

TMCS1123EVM — TMCS1123 隔离式霍尔效应电流检测评估模块

TMCS1123EVM 评估模块 (EVM) 旨在促进 TMCS1123 的快速便捷使用，TMCS1123 是一款采用内部比例基准的隔离式霍尔效应精密电流检测监测器。此 EVM 支持用户在霍尔输入侧提供最大工作电流，同时通过增强型隔离栅测量隔离式输出。此固定装置布局并非作为目标电路的模型使用，也不针对电磁 (EMI) 测试进行布局。TMCS1123EVM 由单个印刷电路板 (PCB) 构成，可拆分为五个单独部分，支持用户测试单个静态点的所有灵敏度变化（A = 0.5Vs，B = 0.33Vs 或 C = 0.1Vs）。
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英语版 (Rev.B): PDF | HTML
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参考设计

TIDA-010938 — 适用于电池储能系统、基于 GaN 的 10kW 单相串式逆变器参考设计

此参考设计概述了如何为电池储能系统 (BESS) 实现具有双向功率转换系统的基于 GaN 的单相串式逆变器。该设计由两个串式输入组成，每个输入能处理多达 10 个串联的光伏 (PV) 电池板，还具有一个储能系统端口，用于处理 50V 至 500V 范围内的电池组。从串式输入到 BESS 的标称额定功率高达 10kW。可配置的直流/交流转换器支持在 230V 电压下向单相电网连接输入高达 4.6kW。三个功率级的数字控制在单个 C2000™ MCU 上执行。
设计指南: PDF
参考设计

TIDA-01606 — 11kW 双向三相三级（T 型）逆变器和 PFC 参考设计

此参考设计概述了如何实现基于 SiC 的双向三级三相有源前端 (AFE) 逆变器和功率因数校正 (PFC) 级。此设计使用高达 90kHz 的开关频率和 LCL 输出滤波器来减小磁性元件的尺寸。峰值效率达到了 98.6%。此设计展示了如何在 DQ 域中实现完整的三相 AFE 控制。这款双向转换器可实现直流快速充电和车辆到电网 (V2G) 应用。
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDA-010954 — 基于 GaN 的 600W 单相周波转换器参考设计

该参考设计基于周波转换器 (AC-DAB) 拓扑和 TI GaN 功率级，实现了 600W 双向单级直流-交流逆变器。该设计在直流侧支持最高 60V 和 ±16A，在单相侧支持 230VAC 和 2.6A。该逆变器支持双向功率流，可用于各种应用，例如光伏微型逆变器或电池储能系统 (BESS)。
设计指南: PDF
参考设计

TIDA-010933 — 基于 GaN 的 1.6kW 双向微型逆变器参考设计

此参考设计展示了一款具有储能功能的基于 GaN 的四输入双向 1.6kW 微型逆变器。
设计指南: PDF
参考设计

TIDA-010257 — 基于 Vienna 整流器的 10kW 三相功率因数校正参考设计

高功率三相功率因数校正应用（例如家用电器、电动汽车 (EV) 充电器和通信电源整流器）中使用了 Vienna 整流器电源拓扑。整流器的控制设计可能很复杂。该参考设计说明了使用 C2000™ 微控制器 (MCU) 控制功率级的方法。该设计还可基于图形用户界面 (GUI) 实现对 Vienna 整流器的监测和控制。供该设计使用的硬件和软件可帮助缩短产品上市时间。
设计指南: PDF
参考设计

TIDA-010937 — 具有数字接口的隔离式低延迟高 PWM 抑制霍尔电流检测参考设计

此参考设计展示了一种精确的低延迟增强型隔离式双向电流检测系统，它使用 TMCS1123 精密霍尔效应电流传感器，通过高达 ±62A 的三相逆变器实现可靠的相电流和直流链路电流检测，过流检测时间小于 100ns。过流阈值可配置为满量程输入电流范围的 2.5 倍。具有高速 SPI 的小型 12 位模数转换器或具有高达 21MHz 时钟的 Δ-Σ 调制器可提供高抗噪性 3.3V I/O 数字接口。该接口连接到 C2000 或 Sitara MCU 等主机处理器，方便使用不同的模数转换技术对封装内霍尔传感器进行性能评估。 
设计指南: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (DVG) 10 Ultra Librarian
应遵守 TI 评估类商品的标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

视频