封装信息
| 封装 | 引脚 SOT-223 (DCY) | 4 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
| 包装数量 | 包装 2,500 | LARGE T&R |
TLV1117LV 的特性
- 典型精度：1.5%
- 低 IQ：100µA（最大值）
- 比标准 1117 器件低 500 倍
- VIN：2 V 至 5.5 V
- VIN 绝对最大值：6V
- 输出电流为 0mA 时运行稳定
- 低压降：VOUT = 3.3V，1A 时为 455mV
- 高 PSRR：1kHz 时为 65dB
- 最小额定电流限制：1.1A
- 与具有成本效益的陶瓷电容器一起工作时运行稳定：
- 等效串联电阻 (ESR) 为 0Ω
- 温度范围：–40°C 至 +125°C
- 热关断保护和过流保护
- 有关具有升级功能的直接替代产品，请参阅 TLV761
- 采用 SOT-223 封装
- 请参阅本文档末尾的机械、封装和可订购信息 部分，了解可用电压选项的完整列表。
TLV1117LV 的说明
TLV1117LV 低压降 (LDO) 线性稳压器是普及型 TLV1117 稳压器的低输入电压版本。
TLV1117LV 是一款静态电流比传统 1117 稳压器低 500 倍的超低功耗器件，非常适合专为需要超低待机电流的应用而设计的器件。TLV1117LV LDO 还可在 0mA 负载电流下保持稳定；没有最低负载要求，这使得此器件非常适合于必须在待机时为极小负载供电，同时又可在正常工作期间提供大约 1A 大电流的应用。TLV1117LV 可提供出色的线路与负载瞬态性能，从而可在负载电流要求由不足 1mA 变为超过 500mA 时产生幅值极低的下冲与过冲输出电压。
高精度带隙与误差放大器支持 1.5% 的精度。凭借超高电源抑制比 (PSRR)，该器件适用于开关稳压器的后稳压操作。其它重要特性还包括低输出噪声与低压降电压等。
该器件可通过内部补偿，在使用 0 Ω ESR 电容器时保持稳定。这些重要优势可实现对低成本小型陶瓷电容器的使用。此外，在必要时还可使用具有较高偏置电压和温度降额的低成本电容器。
TLV1117LV 采用 SOT-223 封装。