封装信息
| 封装 | 引脚 SOIC (DW) | 20 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
| 包装数量 | 包装 2,000 | LARGE T&R |
TLC6C5912-Q1 的特性
- 适用于汽车电子 应用
- 宽 VCC 电压范围：3.5V 至 5.5V
- 40V 的最大输出额定值
- 12 个功率 DMOS 晶体管输出，
VCC = 5V 时的连续电流输出达 50mA - 热关断保护
- 针对多级的增强型级联
- 所有寄存器由单一输入清零
- 低功耗
- 缓开关时间（tr和 tf），这十分有助于减少电磁干扰 (EMI)
- 20 引脚薄型小外形尺寸 (TSSOP)-PW 封装
- 20 引脚 DW 封装
应用
- 仪表板
- 信号灯
- LED 照明和控制
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TLC6C5912-Q1 的说明
TLC6C5912-Q1 是一款单片、中等电压、低电流电源 12 位移位寄存器，设计用于需要相对适量负载功率的系统（如 LED）中。
此器件包含一个 12 位串入、并出移位寄存器，此寄存器为一个 12 位 D 类存储寄存器提供数据。移位和存储寄存器之间的数据传输分别在移位寄存器时钟 (SRCK) 和寄存器时钟 (RCK) 的上升边沿上发生。当移位寄存器清零 (CLR) 为高电平时，存储寄存器将数据传输到输出缓冲器 。一个CLR上的低电平将器件中的所有寄存器清零。将输出使能 (G) 保持为高电平将把输出缓冲器中的所有数据保存为低电平，并且所有漏极输出关闭。保持G为低电平将使得来自存储寄存器中的数据对于输出缓冲器不可见。
当输出缓冲器中的数据为低电平时，DMOS 晶体管的输出被关闭。当数据为高电平时，DMOS 晶体管输出具有电流吸收功能。串行输出 (SER OUT) 在 SRCK 的下降沿随时钟移出器件，为级联应用提供更多保持 时间。这对于时钟信号可能出现偏移的应用、 放置位置相互不靠近的器件、 或者电磁干扰较大的系统而言可以提升性能。此器件内置有热关断保护。
输出端为低侧开漏 DMOS 晶体管，输出额定电压为 40V，VCC = 5V 时拥有 50mA 的连续灌电流能力。电流限值随着结温上升而降低，从而提供额外的器件保护。该器件还提供高达 2000V 的 ESD 人体模型保护和 200V 的 ESD 机器模型保护。
TLC6C5912-Q1 的额定运行环境温度范围为 -40°C 至 125°C。