LMG3624

预发布

具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V 170mΩ GaN FET

产品详情

VDS (max) (mV) 650000 RDS(on) (mΩ) 170
VDS (max) (mV) 650000 RDS(on) (mΩ) 170
VQFN (REQ) 38 42.4 mm² 8 x 5.3
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技术文档

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 LMG3624 具有集成驱动器和电流检测功能的 650V 170mΩ GaN FET 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 9月 18日
技术文章 The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies PDF | HTML 2024年 1月 30日
应用简报 利用 TI GaN 中的集成电流检测功能更大限度提高系统效率 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 12月 13日
产品概述 使用 LMG362x 系列 低功耗 GaN FET 进行设计 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 11月 29日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

LMG3624EVM-081 — LMG3624 符合 USB Type-C® PD 标准的 65W 准谐振反激式转换器评估模块

LMG3624EVM-081 采用具有电流检测仿真功能的 LMG3624 集成式 GaN FET,展示了 65W USB Type-C® 电力输送 (PD) 离线适配器的高效率和高密度特性。该输入支持 90Vac 至 265Vac 通用电压范围,输出可设置为 5V、9V 和 15V(电流最大为 3A)或 20V(电流最大为 3.25A),此类设置可通过 USB PD 接口控制器进行调整。标称频率高达 200kHz 的高频运行可实现小解决方案尺寸,而多模式运行可保持高效率。在输出端使用同步整流技术,以提高效率。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
计算工具

LMG36XX-CALC LMG36XX Quasi-Resonant Flyback Power Stage Design Calculator

The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use LMG36XX integrated GaN FET. Calculations are provided for frequency, voltage/current stresses, and losses in converter.
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
Gallium nitride (GaN) power stages
LMG3612 具有集成驱动器和保护功能的 650V 120mΩ GaN FET LMG3616 具有集成驱动器和保护功能的 650V 270mΩ GaN FET LMG3622 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V 120mΩ GaN FET LMG3624 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V 170mΩ GaN FET LMG3626 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V 270mΩ GaN FET
参考设计

TIDA-050072 — 基于 GaN 的 65W USB PD3.0 USB-C 适配器参考设计

此参考设计是一款 65W USB PD3.0 适配器,适用于多种充电应用,包括手机、笔记本电脑和平板电脑。此设计通过将 LMG3624 集成式 GaN FET 与电流检测仿真配合使用,实现了高效率和高功率密度。准谐振反激实现了高效率,在简单性和低开关损耗之间取得了平衡。
设计指南: PDF
封装 引脚 下载
VQFN (REQ) 38 查看选项

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

视频