ZHDS004 December 2025 TPS99002S-Q1
PRODUCTION DATA
通过 S_EN2 高电平使能的耗散型并联支路,可通过多种电路类型实现。
所选的并联支路电路类型必须能够对 LED 驱动电路中的电感进行放电,并提供 LED 阳极电压过压保护。
推荐方案是将开路保护齐纳二极管与 S_EN2 耗散型并联支路功能相结合,如耗散型并联支路组合 1 图所示。该方案无需连接 S_EN2 引脚,但可实现与消隐电流通路 及耗散型并联支路组合 2(需连接 S_EN2 引脚)相同的功能。
该方案中,采用低功耗齐纳二极管作为检测元件,当 LED 阳极电压超过齐纳电压时,触发 FET 导通。在该配置下,S_EN2 使能信号不启用。相反,在 S_EN2 消隐周期内,电路被有意置于开路状态。随后保护电路开启并释放电感器中存储的能量(直到 S_EN1 并联支路使能且 LED 阳极电压降低)。此工况下,能量将通过负载电阻与 FET 共同耗散。齐纳二极管与电阻分压器的选型需严格把控,确保 LED 阳极电压不超过 RGB 选通 FET 的击穿电压。(可选方案:完全移除负载电阻。此时能量仅通过 FET 耗散,且全工况下 LED 阳极电压更接近齐纳击穿电压)。齐纳电压必须高于输入 VLED 电源轨的最坏工况电压,防止电路误触发。并且齐纳电压必须低于 LED 选通 FET 的漏源击穿电压。
下面介绍了具有相同功能的替代电路。
该电路中,电感电流通过 S_EN2 控制的电阻通路释放。
该电路中,电感器电流通过功率型齐纳二极管释放。