ZHDA146 January 2026 LMG3522R030
在此拓扑中,飞跨电容器是关键元件。所选元件的额定电压必须大于直流链路电压的一半。这是因为,当整个电感器的电流流入飞跨电容器时,会出现大电压纹波。可使用如下方法计算飞跨电容器上的峰值间电压纹波:
CFC 为飞跨电容器的电容值。
需要注意的是,根据该公式,当提高开关频率时,纹波电压会显著降低,从而使得 GaN 晶体管在该拓扑中更具优势。
此外,RMS 电流的计算公式如下。
图 3-7 和图 3-8 中绘制了飞跨电容器纹波电压和 RMS 电流随占空比变化的关系。
请注意,图 3-7 和图 3-8 表明,最坏情况发生在占空比等于 50% 时。飞跨电容器中的基础纹波频率等于开关频率。为实现所设计变换器的良好成本结构,TI 建议采用薄膜电容器,因为其具有较高电容值,同时能够承受较大的纹波电流,适用于低成本设计。