如第 3.2 节所示，通过公式可以看出，使用更高的开关频率进行开关，可以显著减小飞跨电容器和升压电感器的值。为了实现更高的开关频率，可采用 GaN 晶体管。这些晶体管的开关速度快于标准 Si FET，从而降低了开关损耗。更快的开关速度会导致高 di/dt，同时产生环路寄生电感，这会导致重要器件过压。过压会导致 EMI 问题，甚至导致器件损坏。在此拓扑结构中，两个换向环路可以如图 3-9 中所示。

请注意，图 3-10 中未显示飞跨电容器。仅显示了去耦合的陶瓷电容器。蓝色箭头表示内部环路，由 S2、S3 和 C1 的寄生电感组成。可以按照 LMG3522R030 数据表中所示的布局建议优化此布局。红色圆圈表示外部环路，由 S1、S4 和 C3 组成。为了解耦 S2 和 S3 的寄生电感，可以将电容器 C2 与 C1 并联放置。拥有这个额外的电容器可以改善本地布局，实现 FET 展频，而不会影响电源性能。三电平飞跨电容器开关单元的建议布局如图 3-10 所示。

请注意，从这张图中可以看出，通过添加电容器 C2，开关环路的寄生电感会减小。在添加额外元件时，由于电路板的机械尺寸更大，因此对栅极驱动器信号的处理会变得复杂。这可能会导致需要降低 FET 的额定开关速度，从而增加总损耗。该问题可通过采用集成栅极驱动器的 GaN 晶体管（如 LMG3522R030）来解决。由于内部栅极驱动器的设计，可以快速驱动 GaN 晶体管。