ZHDA146 January   2026 LMG3522R030

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2飞跨电容器开关单元的工作原理
    1. 2.1 三电平飞跨电容器开关单元的开关模式
  6. 3飞跨电容器开关单元的设计注意事项
    1. 3.1 导通和开关损耗
      1. 3.1.1 交流导通损耗
      2. 3.1.2 AC 开关损耗
    2. 3.2 无源元件设计
      1. 3.2.1 升压电感器设计
      2. 3.2.2 直流链路高频率纹波
      3. 3.2.3 飞跨电容器设计
    3. 3.3 布局布线注意事项
    4. 3.4 预充电网络
  7. 4实验结果
    1. 4.1 为 TIDA-010957 的飞跨电容器进行预充电
    2. 4.2 稳态运行情况
  8. 5总结
  9. 6参考资料

1 简介

如今，在可再生能源领域，具有高效率和高功率密度的电源转换系统正成为一个必备项。在以额定直流总线电压为 400V 的单相应用为目标时，采用 GaN 技术便成为一种先进的设计方案 [1、2]。在面向 800V 的系统时，采用两级拓扑的 GaN 需要击穿高于 1000V 的电压，很难找到能够承受这种高电压的 GaN 晶体管。在传统的半桥单元中，每个开关器件都需要承受最高直流总线电压。为了降低三相应用中出现的电压应力，需要考虑使用替代多级拓扑。通过添加额外的电源元件，在采用多电平转换器时，可显著降低器件上的整体电压应力。从3 中可以看出，文献中可以找到多种拓扑，但飞跨电容器的结果在设计上最具成本效益。本文档讨论了三级飞跨电容器拓扑。着重介绍了德州仪器 (TI) GaN FET 的实现方式。